IXTJ4N150

IXYS
747-IXTJ4N150
IXTJ4N150

Herst.:

Beschreibung:
MOSFETs High Voltage Power MOSFET

ECAD Model:
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IXYS
Produktkategorie: MOSFETs
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
1.5 kV
2.5 A
6 Ohms
- 30 V, 30 V
5 V
44.5 nC
- 55 C
+ 150 C
110 W
Enhancement
Tube
Marke: IXYS
Konfiguration: Single
Land der Bestückung: Not Available
Land der Verbreitung: Not Available
Ursprungsland: PH
Abfallzeit: 22 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.: 2.8 S
Produkt-Typ: MOSFETs
Anstiegszeit: 23 ns
Serie: IXTJ4N150
Verpackung ab Werk: 30
Unterkategorie: Transistors
Regelabschaltverzögerungszeit: 42 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 19 ns
Gewicht pro Stück: 6 g
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Ausgewählte Attribute: 0

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CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541900000
MXHTS:
8541900299
ECCN:
EAR99

High Voltage IEEE 1500V+ Discrete Semiconductors Transistors