IXTP18P10T

Name: IXYS IXTP18P10T
Brand: IXYS
SKU: 747-IXTP18P10T
Price: 2.81 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

747-IXTP18P10T

Herst.- Nr.:

IXTP18P10T

Herst.:

IXYS

Datenblatt:

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Hersteller:	IXYS
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-220-3
Transistorpolung:	P-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	100 V
Id - Drain-Gleichstrom:	18 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	120 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 15 V, 15 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4.5 V
Qg - Gate-Ladung:	39 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	83 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	TrenchP
Verpackung:	Tube
Marke:	IXYS
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	KR
Abfallzeit:	22 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	8 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	26 ns
Serie:	IXTP18P10
Verpackung ab Werk:	50
Unterkategorie:	Transistors
Regelabschaltverzögerungszeit:	44 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	19 ns
Gewicht pro Stück:	2 g