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IXTP86N20X4

Name: IXYS IXTP86N20X4
Brand: IXYS
SKU: 747-IXTP86N20X4
Price: 10.8 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

747-IXTP86N20X4

Herst.- Nr.:

IXTP86N20X4

Herst.:

IXYS

Beschreibung:

MOSFETs TO220 200V 86A N-CH X4CLASS

Datenblatt:

IXTP86N20X4 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Hersteller:	IXYS
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-220-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	200 V
Id - Drain-Gleichstrom:	86 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	13 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4.5 V
Qg - Gate-Ladung:	70 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	300 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Tube
Marke:	IXYS
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	KR
Abfallzeit:	35 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	50 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	38 ns
Verpackung ab Werk:	50
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	76 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	27 ns
Gewicht pro Stück:	2 g

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Datenblatt

IXTP86N20X4 Datenblatt (PDF)

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CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

IXT X4 200-V-Ultra-Junction-Leistungs-MOSFETs

IXYS IXT X4 200-V-Ultra-Junction-Leistungs-MOSFETs sind n-Kanal-Anreicherungstyp-Bauteile mit entweder 10,6 mΩ, 13 mΩ, oder 21 mΩ R_DS(on) und einer maximalen Drain-Quelle-Spannung von 200 V. Die IXT-MOSFETs sind im TO-220-, TO-247-, TO-263- oder TO-268-Standardgehäuse mit Avalanche-Rating und hoher Leistungsdichte erhältlich. Die IXT X4 200-V-Ultra-Junction-Leistungs-MOSFETs von IXYS eignen sich hervorragend für den Einsatz in Schaltmodus- und Resonanzmodus-Netzteilen.

IX4 Ultra-Junction Leistungs-MOSFETs

IX4 Ultra-Junction Power MOSFETs von IXYS sind Avalanche-geprüfte n-Kanal Enhancement-MOSFETs mit einer Drain-Source-Durchschlagspannung von 200 V. Die IX4 Ultra-Junction Power MOSFETs von IXYS werden in einem TO-220 (IXTP) oder TO-263 (IXTA) Gehäuse geliefert und bieten 86 A oder 94 A kontinuierlichen Drainstrom.