IXTQ26P20P

Name: IXYS IXTQ26P20P
Brand: IXYS
SKU: 747-IXTQ26P20P
Price: 6.96 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

747-IXTQ26P20P

Herst.- Nr.:

IXTQ26P20P

Herst.:

IXYS

Datenblatt:

ECAD Model:

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Hersteller:	IXYS
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-3P-3
Transistorpolung:	P-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	200 V
Id - Drain-Gleichstrom:	26 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	170 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4 V
Qg - Gate-Ladung:	56 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	300 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Tube
Marke:	IXYS
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	KR
Abfallzeit:	21 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	33 ns
Serie:	IXTQ26P20
Verpackung ab Werk:	30
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 P-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	46 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	18 ns
Gewicht pro Stück:	1.600 g