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IXTQ76N25T

Name: IXYS IXTQ76N25T
Brand: IXYS
SKU: 747-IXTQ76N25T
Price: 5.73 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

747-IXTQ76N25T

Herst.- Nr.:

IXTQ76N25T

Herst.:

IXYS

Beschreibung:

MOSFETs 76 Amps 250V 39 Rds

Datenblatt:

IXTQ76N25T Datenblatt

ECAD Model:

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Hersteller:	IXYS
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-3P-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	300 V
Id - Drain-Gleichstrom:	76 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	42 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	5 V
Qg - Gate-Ladung:	92 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	460 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	HiPerFET
Verpackung:	Tube
Marke:	IXYS
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	KR
Abfallzeit:	29 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	43 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	25 ns
Serie:	IXTQ76N25
Verpackung ab Werk:	30
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	56 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	22 ns
Gewicht pro Stück:	5.500 g

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Datenblatt

IXTQ76N25T Datenblatt

PCN

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CNHTS:: 8541290000
TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

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