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IXTY01N100D

Name: IXYS IXTY01N100D
Brand: IXYS
SKU: 747-IXTY01N100D
Price: 4.47 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

747-IXTY01N100D

Herst.- Nr.:

IXTY01N100D

Herst.:

IXYS

Beschreibung:

MOSFETs MOSFET N-CH DEPLETN 1000V 100MA TO-25

Datenblatt:

IXTY01N100D Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Alternativverpackung

Herst. Teilenr.:

IXTY01N100D-TRL

Verpackung:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Verfügbarkeit:

Auf Lager

Preis:

CHF 3.98

Min:

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Hersteller:	IXYS
Produktkategorie:	MOSFETs
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	DPAK-3 (TO-252-3)
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	1 kV
Id - Drain-Gleichstrom:	100 mA
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	80 Ohms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4.5 V
Qg - Gate-Ladung:	5.8 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	1.1 W
Kanalmodus:	Depletion
Verpackung:	Tube
Marke:	IXYS
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	KR
Abfallzeit:	6 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	6 ns
Verpackung ab Werk:	70
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	30 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	8 ns
Gewicht pro Stück:	330 mg

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CNHTS:: 8541290000
TARIC:: 8541500000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
MXHTS:: 85415001
ECCN:: EAR99

Standardmäßige n-Kanal-Verarmungstyp-Leistungs-MOSFETs

IXYS Standard-Baureihe 500-V- bis 1.700-V-n-Kanal-Verarmungstyp-Leistungs-MOSFETs sind Verarmungstyp-MOSFETs, die eine negative Gate-Vorspannung zum Ausschalten erfordern. Die Module bleiben in oder über der Gate-Nullvorspannung, weisen aber sonst ähnliche Eigenschaften wie MOSFETs auf. Die Baureihe eignet sich hervorragend für die Pegelverschiebung, Solid State Relais, Stromregler und aktive Lasten.