IXTY1R4N120PHV

Name: IXYS IXTY1R4N120PHV
Brand: IXYS
SKU: 747-IXTY1R4N120PHV
Price: 4.66 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

747-IXTY1R4N120PHV

Herst.- Nr.:

IXTY1R4N120PHV

Herst.:

IXYS

Datenblatt:

ECAD Model:

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Hersteller:	IXYS
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	DPAK-3 (TO-252-3)
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	1.2 kV
Id - Drain-Gleichstrom:	1.4 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	13 Ohms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2.5 V
Qg - Gate-Ladung:	24.8 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	86 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	Polar
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	IXYS
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	KR
Abfallzeit:	29 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	0.8 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	27 ns
Verpackung ab Werk:	70
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	78 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	25 ns
Gewicht pro Stück:	330 mg