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IXXH30N65C4D1

Name: IXYS IXXH30N65C4D1
Brand: IXYS
SKU: 747-IXXH30N65C4D1
Price: 3.76 CHF
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

747-IXXH30N65C4D1

Herst.- Nr.:

IXXH30N65C4D1

Herst.:

IXYS

Beschreibung:

IGBTs Disc IGBT XPT-GenX4 TO-247AD

Datenblatt:

IXXH30N65C4D1 Datenblatt

ECAD Model:

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Hersteller:	IXYS
Produktkategorie:	IGBTs
RoHS:
Technologie:	Si
Verpackung/Gehäuse:	TO-247-3
Montageart:	Through Hole
Konfiguration:	Single
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.:	650 V
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter:	2.5 V
Maximale Gate-Emitter-Spannung:	- 20 V, 20 V
Kollektorgleichstrom bei 25 C:	62 A
Pd - Verlustleistung:	230 W
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Serie:	Trench - 650V - 1200V GenX11
Verpackung:	Tube
Marke:	IXYS
Kollektorgleichstrom Ic max.:	62 A
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	US
Kriechstrom Gate-Emitter:	100 nA
Produkt-Typ:	IGBT Transistors
Verpackung ab Werk:	30
Unterkategorie:	IGBTs
Handelsname:	XPT

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Datenblatt

IXXH30N65C4D1 Datenblatt

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USHTS:: 8541290095
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

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