1EDI3038ASXUMA1

Infineon Technologies
726-1EDI3038ASXUMA1
1EDI3038ASXUMA1

Herst.:

Beschreibung:
Gate-Treiber HVGD_TRACT

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Menge Stückpreis
Erw. Preis
CHF 4.66 CHF 4.66
CHF 3.08 CHF 30.80
CHF 2.81 CHF 70.25
CHF 2.38 CHF 238.00
CHF 2.26 CHF 565.00
CHF 2.03 CHF 1 015.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 1000)
CHF 1.72 CHF 1 720.00
CHF 1.66 CHF 3 320.00
CHF 1.63 CHF 8 150.00

Produktattribut Attributwert Attribut auswählen
Infineon
Produktkategorie: Gate-Treiber
RoHS:  
MOSFET Drivers
High-Side, Low-Side
SMD/SMT
DSO-20
1 Output
15 A
3 V
5.5 V
Inverting, Non-Inverting
55 ns
45 ns
- 40 C
+ 150 C
Reel
Cut Tape
Marke: Infineon Technologies
Land der Bestückung: Not Available
Land der Verbreitung: Not Available
Ursprungsland: DE
Feuchtigkeitsempfindlich: Yes
Betriebsversorgungsstrom: 5 mA
Produkt-Typ: Gate Drivers
Verzögerungszeit - Max.: 90 ns
Rds On - Drain-Source-Widerstand: 3 Ohms
Verpackung ab Werk: 1000
Unterkategorie: PMIC - Power Management ICs
Technologie: SiC
Handelsname: EiceDriver
Artikel # Aliases: 1EDI3038AS SP005882067
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ECCN:
EAR99

EiceDRIVER™ Hochspannungs-Gate-Treiber-ICs

Infineon Technologies  EiceDRIVER™ Hochspannungs-Gate-Treiber-ICs für Elektrofahrzeuge (EV) umfassen automotive-qualifizierte IGBT-Treiber-ICs und SiC-MOSFET-Treiber-ICs. Die Hochspannungs-Gate-Treiber-ICs von Infineon Technologies  EiceDRIVER™ bieten galvanische Trennung und bidirektionale Signalübertragung bei hoher Umgebungstemperatur. Die ICs ermöglichen extrem kurze Ausbreitungsverzögerungen und unterstützen IGBT- und SiC-Technologien bis zu 1.200 V. Die Bausteine verfügen über wichtige Funktionen/Parameter zur Ansteuerung von SiC-MOSFETs, wie z.B. ein verbessertes Schaltverhalten (erweiterte CMTI-Fähigkeit, schnelle Ausbreitungsverzögerung, Schaltfrequenz), einen großen ausgangsseitigen Versorgungsbereich, eine kurze interne Totzeit und eine DESAT/OCP-Schwellenwertanpassung. Fortschrittliche Überwachungs- und Schutzfunktionen erleichtern die Umsetzung der ISO 26262 Anforderungen an die funktionale Sicherheit und sorgen für einen stabilen Betrieb in rauen EMV-Umgebungen.

EiceDRIVER™ Gate-Treiber-ICs

Infineon EiceDRIVER™ Gate-Treiber-ICs sind für MOSFETs, IGBTs, SiC-MOSFETs und GaN-HEMTs-Bauteile ausgelegt. EiceDRIVER™ Gate-Treiber bieten eine große Auswahl von typischen Ausgangsstromoptionen von 0,1 μA bis 10 μA. Diese Bauteile verfügen über robuste Gate-Treiber-Schutzfunktionen, wie z. B. schnelle Kurzschluss-Sicherung (DESAT), aktive Miller-Klemme, Durchzündungsschutz, Fehler-, Abschalt- und Überstromschutz. Diese Funktionen machen diese Treiber-ICs ideal für Silizium- und Breitbandlücken-Leistungsbauteile, einschließlich CoolGaN™ und CoolSiC™. Aus diesem Grund bietet der Infineon mehr als 500 EiceDRIVER™ Gate-Treiber-IC-Lösungen, die sich für jeden Leistungsschalter und jede Applikation eignen.