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1EDI60I12AF

Name: Infineon 1EDI60I12AF
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-1EDI60I12AF
Price: 2.38 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

726-1EDI60I12AF

Herst.- Nr.:

1EDI60I12AF

Herst.:

Infineon Technologies

Beschreibung:

Gate-Treiber 1200V Isolated 1-CH, 9.4A, SEP Output

Datenblatt:

1EDI60I12AF Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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	CHF 1.54	CHF 15.40
	CHF 1.40	CHF 35.00
	CHF 1.19	CHF 119.00
	CHF 1.11	CHF 277.50
	CHF 0.97	CHF 485.00
	CHF 0.895	CHF 895.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)
	CHF 0.895	CHF 2 237.50

Alternativverpackung

Herst. Teilenr.:

1EDI60I12AFXUMA1

Verpackung:

Reel, Cut Tape

Verfügbarkeit:

Auf Lager

Preis:

CHF 2.03

Min:

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Infineon
Produktkategorie:	Gate-Treiber
RoHS:
Produkt:	IGBT, MOSFET Gate Drivers
Typ:	High-Side
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	DSO-8
Anzahl der Treiber:	1 Driver
Anzahl der Ausgänge:	1 Output
Ausgangsstrom:	6 A
Versorgungsspannung - Min.:	3.1 V
Versorgungsspannung - Max.:	17 V
Konfiguration:	Inverting, Non-Inverting
Anstiegszeit:	10 ns
Abfallzeit:	9 ns
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Serie:	1ED Compact
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	Infineon Technologies
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	DE
Logiktyp:	CMOS
Maximale Abschaltverzögerungszeit:	330 ns
Maximale Anschaltverzögerungszeit:	330 ns
Feuchtigkeitsempfindlich:	Yes
Pd - Verlustleistung:	400 mW
Produkt-Typ:	Gate Drivers
Verzögerungszeit - Max.:	330 ns
Abschaltung:	Shutdown
Verpackung ab Werk:	2500
Unterkategorie:	PMIC - Power Management ICs
Technologie:	Si
Handelsname:	EiceDRIVER
Artikel # Aliases:	SP001037208 1EDI60I12AFXUMA1
Gewicht pro Stück:	83 mg

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CNHTS:: 8542399000
USHTS:: 8542310075
ECCN:: EAR99

EiceDRIVER™ Gate-Treiber-ICs

Infineon EiceDRIVER™ Gate-Treiber-ICs sind für MOSFETs, IGBTs, SiC-MOSFETs und GaN-HEMTs-Bauteile ausgelegt. EiceDRIVER™ Gate-Treiber bieten eine große Auswahl von typischen Ausgangsstromoptionen von 0,1 μA bis 10 μA. Diese Bauteile verfügen über robuste Gate-Treiber-Schutzfunktionen, wie z. B. schnelle Kurzschluss-Sicherung (DESAT), aktive Miller-Klemme, Durchzündungsschutz, Fehler-, Abschalt- und Überstromschutz. Diese Funktionen machen diese Treiber-ICs ideal für Silizium- und Breitbandlücken-Leistungsbauteile, einschließlich CoolGaN™ und CoolSiC™. Aus diesem Grund bietet der Infineon mehr als 500 EiceDRIVER™ Gate-Treiber-IC-Lösungen, die sich für jeden Leistungsschalter und jede Applikation eignen.

Einkanal-MOSFET-Gatetreiber-ICs

Die Einkanal-MOSFET-Gatter-Treiber-ICs von Infineon sind ein wesentliches Bindeglied zwischen Steuer-ICs und leistungsstarken MOSFET- und GaN-Schaltern. Die Gatetreiber-ICs von Infineon ermöglichen eine hohe Effizienz auf Systemebene, bieten eine exzellente Leistungsdichte und eine dauerhafte Systemrobustheit.
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EiceDRIVER™ Einkanal-MOSFET-Gate-Treiber-ICs

Infineon Technologies EiceDRIVER™ Einkanal-MOSFET-Gate-Treiber-ICs sind ein wesentliches Bindeglied zwischen Steuerungs-ICs und leistungsstarken MOSFET- und GaN-Schaltern. Diese Gate-Treiber-ICs ermöglichen einen hohen Wirkungsgrad auf Systemebene, bieten eine ausgezeichnete Leistungsdichte und eine dauerhafte Systemrobustheit.

Isolierte Gate-Treiber

Infineon Isolierte Gate-Treiber verwenden eine magnetisch gekoppelte kernlose Transformator-Technologie (CT) zur Übertragung von Signalen über die galvanische Trennung. Diese Treiber bieten funktionale grundlegende, verstärkte isolierte, UL 1577- und VDE 0884-zertifizierte Produkte. Die Isolierung ermöglicht sehr große Spannungsschwankungen (z.B. ±1.200 V). Diese isolierten Treiber enthalten die wichtigsten Merkmale und Parameter für MOSFET-, IGBT-, IGBT-Module, SiC-MOSFET- und GaN-HEMT-Antrieb.

Erleben Sie den Unterschied in der Leistung

Infineon ist führend auf dem Leistungshalbleiter-Markt. Mit mehr als 20 Jahren Erfahrung und als Innovator der revolutionären CoolMOSTM™ -Superjunction-MOSFET-Technologie ist Infineon weiterhin eine Vorreiterrolle im Bereich des Energiemanagements. Kunden können basierend auf individuellen Design-/Systemanforderungen aus dem branchenweit breitesten Silizium-basierten SJ-MOSFET-Portfolio auswählen. Als einer der wenigen Hersteller, die alle drei Hauptenergietechnologien beherrschen, ergänzt Infineon dieses Sortiment durch ein bahnbrechendes Breitbandlücken-Angebot (WBG). Dieses Angebot umfasst Siliziumkarbid-basierte CoolSiC™-MOSFETs, Anpassungsdioden und Galliumnitrid-basierte CoolGaN ™ -E-Modus-HEMTs. Es gibt Lösungen, die von einem hervorragenden Preis-Leistungs-Verhältnis über eine unübertroffene Robustheit bis hin zu Geräten der Spitzenklasse reichen. Dies ermöglicht Kunden, effizientere, umweltfreundlichere und nachhaltigere Applikationen zu erstellen.

Infineon Automatische Öffnungssysteme

Die Infineon automatischen Öffnungssysteme integrieren intelligente Sensoren, Motorsteuerungen, Zubehör und Batteriemanagement, um Schiebe- und Drehtüren, Garagentore, Markisen und Rollläden zu automatisieren. Diese Türen werden dann mit Systemen ausgestattet, die in der Lage sind, den Öffnungsvorgang zu verwalten, ein unbeabsichtigtes Öffnen zu vermeiden, die Geschwindigkeit und das Drehmoment zu steuern, die Anwesenheit von Objekten entlang des Wegs zu erfassen und eine Reihe von anderen Funktionen.
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