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BSS215PH6327XT

Name: Infineon BSS215PH6327XT
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-BSS215PH6327XTSA
Price: 0.34 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

726-BSS215PH6327XTSA

Herst.- Nr.:

BSS215PH6327XT

Herst.:

Infineon Technologies

Beschreibung:

MOSFETs P-Ch -20V -1.5A SOT-23-3

Datenblatt:

BSS215PH6327XT Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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CHF -.--

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Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)

Cut-Tape

MouseReel™ (+CHF 7.00)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	CHF 0.34	CHF 0.34
	CHF 0.239	CHF 2.39
	CHF 0.149	CHF 14.90
	CHF 0.103	CHF 51.50
	CHF 0.09	CHF 90.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	CHF 0.078	CHF 234.00
	CHF 0.067	CHF 402.00
	CHF 0.061	CHF 549.00
	CHF 0.057	CHF 1 368.00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

Alternativverpackung

Herst. Teilenr.:

BSS215P H6327

Verpackung:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Verfügbarkeit:

Auf Lager

Preis:

CHF 0.51

Min:

Herst. Teilenr.:

BSS215PH6327XTSA1

Verpackung:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Verfügbarkeit:

Auf Lager

Preis:

CHF 0.37

Min:

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Infineon
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	SOT-23-3
Transistorpolung:	P-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	20 V
Id - Drain-Gleichstrom:	1.5 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	105 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 12 V, 12 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	1.2 V
Qg - Gate-Ladung:	3.6 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	500 mW
Kanalmodus:	Enhancement
Qualifikation:	AEC-Q100
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Infineon Technologies
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	CN
Abfallzeit:	14 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	4.5 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	9.7 ns
Serie:	BSS215
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 P-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	14.5 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	6.7 ns
Artikel # Aliases:	SP000928938 H6327 BSS215P BSS215PH6327XTSA1
Gewicht pro Stück:	8 mg

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Datenblatt

BSS215PH6327XT Datenblatt (PDF)

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Infineon's Latest Power and Sensing Guide (PDF)

CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541210000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Kleinsignal-Leistungs-MOSFETs

Infineon Kleinsignal-Leistungs-MOSFETs sind in 7 branchenüblichen Gehäusetypen erhältlich, die vom größten SOT-223 bis zum kleinsten SOT-363, das nur 2,1mm x 2mm x 0,9mm misst, reichen. Sie werden als Einzel-, Dual- und ergänzende Konfigurationen angeboten. Sie sind als n-Kanal, p-Kanal oder ergänzend (sowohl p-Kanal als auch n-Kanal im selben Gehäuse) erhältlich, um einer Vielzahl von Konstruktionsanforderungen zu genügen. Typische Anwendungen für diese Geräte umfassen Batterieschutz, LED-Beleuchtung, Niederspannungsantriebe und DC-DC-Wandler. Jeder der Kleinsignal-Leistungs-MOSFETs ist gemäß AEC Q101 für die Automobilindustrie qualifiziert.
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