DF160R12W2H3F_B11

Infineon Technologies
641-DF160R12W2H3FB11
DF160R12W2H3F_B11

Herst.:

Beschreibung:
IGBT-Module 1200 V, 160 A booster IGBT module

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Infineon
Produktkategorie: IGBT-Module
RoHS:  
REACH - SVHC:
SiC IGBT Modules
Quad
1.2 kV
1.55 V
20 A
100 nA
20 mW
Module
- 40 C
+ 150 C
Tray
Marke: Infineon Technologies
Land der Bestückung: Not Available
Land der Verbreitung: Not Available
Ursprungsland: AT
Maximale Gate-Emitter-Spannung: 20 V
Montageart: Press Fit
Produkt-Typ: IGBT Modules
Serie: High Speed IGBT H3
Verpackung ab Werk: 15
Unterkategorie: IGBTs
Technologie: SiC
Handelsname: EasyPACK
Artikel # Aliases: SP001602670 DF160R12W2H3FB11BPSA1
Gewicht pro Stück: 36 g
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Ausgewählte Attribute: 0

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CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541210095
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

EasyPACK™ 2B-IGBT-Leistungsmodule

Infineon Technologies EasyPACK™ 2 B IGBT Leistungsmodule sind eine skalierbare Leistungsmodullösung mit einem flexiblen Raster-Stiftsystem, das sich perfekt für die Anpassung des Layouts und Pinbelegung eignet. Die Gehäuse verfügen nicht über eine Grundplatte, was den Einsatz in verschiedenen Applikationen ermöglicht. In PIM- oder Six-Pack-Konfigurationen decken die Infineon EasyPACK 2 B IGBT- Leistungsmodule den gesamten LeistungsBereich von 20 A bis 200 A bei 600V/650V/1200V ab. Diese Module haben außerdem einen Verlustleistungsbereich von 20 mW bis 600 W und arbeiten von -40°C bis +150°C oder +175°C.