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FS01MR08A8MA2CHPSA1

Name: Infineon FS01MR08A8MA2CHPSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-FS01MR08A8MA2CHP
Price: 906.37 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

726-FS01MR08A8MA2CHP

Herst.- Nr.:

FS01MR08A8MA2CHPSA1

Herst.:

Infineon Technologies

Beschreibung:

Diskrete Halbleitermodule HybridPACK Drive G2 module with SiC MOSFET

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

Neu von diesem Hersteller.

Datenblatt:

FS01MR08A8MA2CHPSA1 Datenblatt (PDF)

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Hersteller:	Infineon
Produktkategorie:	Diskrete Halbleitermodule
RoHS:
Produkt:	SiC MOSFET Modules
Typ:	Bridge Power Module
Technologie:	SiC
Vf - Durchlassspannung:	4.64 V
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 5 V, + 19 V
Montageart:	Press Fit
Serie:	HybridPACK
Verpackung:	Tray
Marke:	Infineon Technologies
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	DE
Abfallzeit:	53 ns
Id - Drain-Gleichstrom:	620 A
Produkt-Typ:	Discrete Semiconductor Modules
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	1.69 mOhms
Anstiegszeit:	108 ns
Verpackung ab Werk:	6
Unterkategorie:	Discrete and Power Modules
Regelabschaltverzögerungszeit:	318 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	128 ns
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	750 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	3.9 V
Artikel # Aliases:	FS01MR08A8MA2C SP006071563

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ECCN:: EAR99

HybridPACK™ Drive G2 Module

Die HybridPACK ™ Drive G2 Module von Infineon Technologies sind kompakte Leistungsmodule für den Antrieb von Hybrid - und Elektrofahrzeugen. Die G2-Module von Infineon Technologies bieten skalierbare Leistungsniveaus unter Verwendung von Si- oder SiC-Technologien und verschiedenen Chipsätzen bei gleichbleibender Modulgröße. Die im Jahr 2017 eingeführte Modul mit Silizium-EDT2-Technologie wurde für mehr Effizienz im realen Fahrbetrieb optimiert. Im Jahr 2021 wurde eine CoolSiC™ -Version eingeführt, die eine höhere Zelldichte und bessere Leistung bietet. Im Jahr 2023 wurde die zweite Generation, HybridPACK Drive G2, mit EDT3- (Si IGBT) und CoolSiC™ G2-MOSFET-Technologien auf den Markt gebracht, die eine einfache Nutzung und Integrationsmöglichkeiten für Sensoren bietet und eine Leistung von bis zu 300 kW in den Klassen 750 V und 1.200 V ermöglicht.