FS150R12N3T7BPSA1

Infineon Technologies
726-FS150R12N3T7BPS1
FS150R12N3T7BPSA1

Herst.:

Beschreibung:
IGBT-Module LOW POWER ECONO

ECAD Model:
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Infineon
Produktkategorie: IGBT-Module
RoHS:  
IGBT Silicon Modules
6-Pack
1.2 kV
1.55 V
150 A
100 nA
- 40 C
+ 175 C
Tray
Marke: Infineon Technologies
Land der Bestückung: Not Available
Land der Verbreitung: Not Available
Ursprungsland: HU
Produkt-Typ: IGBT Modules
Serie: FSXR12N3X7G
Verpackung ab Werk: 10
Unterkategorie: IGBTs
Technologie: Si
Artikel # Aliases: FS150R12N3T7 SP004145224
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Ausgewählte Attribute: 0

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CAHTS:
8541210000
USHTS:
8541210095
JPHTS:
854121000
TARIC:
8541210000
MXHTS:
8541210100
ECCN:
EAR99

1200-V-Sixpack-IGBT-Module

Die Infineon 1200-V-Sixpack-IGBT-Module sind EasyPACK™ 1B-Sixpack-IGBT-Module mit TRENCHSTOP™ IGBT7 Emitter-gesteuerter 7-Dioden- und NTC-Technologie. Diese Technologie bietet stark reduzierte Verluste und einen hohen Grad an Steuerbarkeit. Das Zellenkonzept zeichnet sich dadurch aus, dass parallelgeschaltete Trench-Zellen, die durch Sub-Mikron-Mesas getrennt sind, im Vergleich zu früher verwendeten quadratischen Trench-Zellen implementiert werden. Der Chip ist speziell für industrielle Antriebsapplikationen und Solarenergiesysteme optimiert, was wesentlich geringere statische Verluste, eine höhere Leistungsdichte und ein weicheres Schalten bedeutet. Eine signifikante Erhöhung der Leistungsdichte kann erreicht werden, indem die zulässige maximale Betriebstemperatur bis zu 175°C in den 1200-V-Sixpack-IGBT-Modulen von Infineon erhöht wird.