IDWD75G120C5XKSA1

Infineon Technologies
726-IDWD75G120C5XKSA
IDWD75G120C5XKSA1

Herst.:

Beschreibung:
SiC Schottky Dioden CoolSiC 1200 V Schottky diode G5 with .XT interconnection technology

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Infineon
Produktkategorie: SiC Schottky Dioden
RoHS:  
Tube
Marke: Infineon Technologies
Land der Bestückung: Not Available
Land der Verbreitung: Not Available
Ursprungsland: AT
Produkt-Typ: SiC Schottky Diodes
Verpackung ab Werk: 240
Unterkategorie: Diodes & Rectifiers
Handelsname: CoolSiC
Artikel # Aliases: IDWD75G120C5 SP005746634
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CNHTS:
8541100000
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8541100090
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8541100080
TARIC:
8541100000
ECCN:
EAR99

CoolSiC™ Schottky-Dioden

Infineon CoolSiC™ Schottky-Dioden bieten einen relativ hohen Einschaltwiderstand und Ableitstrom. Eine wesentlich höhere Durchschlagspannung kann in Schottky-Dioden mit einem SiC-Material erzielt werden. Das Portfolio an SiC-Schottky-Bauteilen von Infineon umfasst 600-V- und 650-V- bis 1.200-V-Schottky-Dioden. Die Kombination eines schnellen Silizium-basierten Schalters mit einer CoolSiC™ Schottky-Diode wird oft als „Hybrid “-Lösung bezeichnet. In den letzten Jahren hat Infineon mehrere Millionen Hybridmodule hergestellt und sie in verschiedenen Kundenprodukten in Applikationen wie z. B. Solar und USV installiert.

1200 V CoolSiC™ Schottky-Dioden der 5. Generation

Die Infineon 1200 V CoolSiC Schottky-Dioden der 5. Generation sind mit Durchlassströmen von bis zu 40 A für TO-247, 20 A in TO-220 und 20 A in DPAK verfügbar. Die CoolSiC Dioden zielen auf Solar-Wechselrichter, UPS, 3P SNT, Energiespeicherung und Motorantriebsapplikationen ab. Mit der Reduzierung der Durchlassspannung und Temperaturabhängigkeit wird eine neue Ebene des Systemwirkungsgrads erreicht.