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IGD70R140D2SAUMA1

Name: Infineon IGD70R140D2SAUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IGD70R140D2SAUMA
Price: 2.24 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

726-IGD70R140D2SAUMA

Herst.- Nr.:

IGD70R140D2SAUMA1

Herst.:

Infineon Technologies

Beschreibung:

GaN FETs CoolGaN Transistor 700 V G5

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

Neu von diesem Hersteller.

Datenblatt:

IGD70R140D2SAUMA1 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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	1.45 CHF	14.50 CHF
	0.999 CHF	99.90 CHF
	0.803 CHF	401.50 CHF
	0.764 CHF	764.00 CHF
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)
	0.70 CHF	1 750.00 CHF
	0.662 CHF	3 310.00 CHF

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Infineon
Produktkategorie:	GaN FETs
RoHS:
Montageart:	SMD/SMT
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	700 V
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 10 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	1.6 V
Qg - Gate-Ladung:	1.9 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	29 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	CoolGaN
Marke:	Infineon Technologies
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	AT
Abfallzeit:	23 ns
Feuchtigkeitsempfindlich:	Yes
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Produkt:	Transistors
Produkt-Typ:	GaN FETs
Anstiegszeit:	7 ns
Serie:	CoolGaN G5
Verpackung ab Werk:	2500
Unterkategorie:	Transistors
Technologie:	GaN
Transistorart:	1 N-Channel
Typ:	CoolGaN Transistor
Regelabschaltverzögerungszeit:	10 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	7 ns
Artikel # Aliases:	IGD70R140D2S SP006085341

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Datenblatt

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CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

700 V CoolGaN™-G5-Leistungstransistoren

Infineon Technologies 700 V CoolGaN™ G5 Leistungstransistoren stellen einen bedeutenden Fortschritt in der Leistungsumwandlungstechnologie dar. Diese Galliumnitrid (GaN) -Transistoren sind für den Betrieb bei hohen Frequenzen mit hervorragendem Wirkungsgrad ausgelegt, wodurch ein extrem schnelles Schalten und Energieverluste ermöglicht werden. Die 700 V CoolGaN G5-Baureihe verfügt über Normal-Aus Anreicherungsmodus-Transistoren, um einen sicheren Betrieb und eine hohe Zuverlässigkeit zu gewährleisten. Mit niedriger Gate- und Ausgangsladung unterstützen diese Transistoren Designs mit hoher Leistungsdichte und reduzieren die system-BOM-Kosten.