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IMBG65R040M2HXTMA1

Name: Infineon IMBG65R040M2HXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IMBG65R040M2HXTM
Price: 7.19 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

726-IMBG65R040M2HXTM

Herst.- Nr.:

IMBG65R040M2HXTMA1

Herst.:

Infineon Technologies

Beschreibung:

SiC-MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET

Datenblatt:

IMBG65R040M2HXTMA1 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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CHF -.--

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Cut-Tape

MouseReel™ (+CHF 7.00)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	CHF 7.19	CHF 7.19
	CHF 4.92	CHF 49.20
	CHF 3.67	CHF 367.00
	CHF 3.55	CHF 1 775.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 1000)
	CHF 3.36	CHF 3 360.00
	CHF 3.32	CHF 6 640.00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Infineon
Produktkategorie:	SiC-MOSFETs
RoHS:
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	TO-263-7
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	650 V
Id - Drain-Gleichstrom:	49 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	49 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 7 V, + 23 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	5.6 V
Qg - Gate-Ladung:	28 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	197 W
Kanalmodus:	Enhancement
Marke:	Infineon Technologies
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	MY
Abfallzeit:	4.6 ns
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Produkt-Typ:	SiC MOSFETS
Anstiegszeit:	8.3 ns
Verpackung ab Werk:	1000
Unterkategorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Regelabschaltverzögerungszeit:	14.4 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	8.4 ns
Artikel # Aliases:	IMBG65R040M2HXTMA1 SP005917207

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Datenblatt

IMBG65R040M2HXTMA1 Datenblatt (PDF)

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

CoolSiC™ G2 Siliziumkarbid-MOSFETs

Infineon Technologies CoolSiC™ G2 Siliciumcarbid -MOSFETs ermöglichen ein hervorragendes Betriebsverhalten von SiC und erfüllen gleichzeitig höchste Qualitätsstandards in allen gängigen Stromversorgungskombinationen (AC-DC, DC/DC und DC-AC). SiC -MOSFETs bieten im Vergleich zu Si-Alternativen ein höheres Betriebsverhalten für Photovoltaik- Umrichter Energiespeichersysteme, Ladeinfrastruktur-Speicher Elektrofahrzeuge, Stromversorgungen und Motorantriebe. Infineon CoolSiC G2 MOSFETs erweitern die einzigartige XT-Verbindungstechnologie (z. B. in diskreten Gehäusen TO-263-7, TO-247-4), die die gemeinsame Herausforderung der Verbesserung der Halbleiterchip-Leistung bei gleichzeitiger Aufrechterhaltung der thermischen Leistungsfähigkeit überwindet. Die thermische Leistungsfähigkeit des G2 ist 12 % besser, wodurch die Leistungskennzahlen des Chips auf ein robustes Niveau des SiC Betriebsverhalten angehoben werden.