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IMT65R015M2HXUMA1

Name: Infineon IMT65R015M2HXUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IMT65R015M2HXUMA
Price: 13.56 CHF
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

726-IMT65R015M2HXUMA

Herst.- Nr.:

IMT65R015M2HXUMA1

Herst.:

Infineon Technologies

Beschreibung:

SiC-MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

Neu von diesem Hersteller.

Datenblatt:

IMT65R015M2HXUMA1 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Cut-Tape

MouseReel™ (+CHF 7.00)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	CHF 13.56	CHF 13.56
	CHF 11.03	CHF 110.30
	CHF 9.19	CHF 919.00
	CHF 8.19	CHF 4 095.00
	CHF 7.65	CHF 7 650.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2000)
	CHF 7.65	CHF 15 300.00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Infineon
Produktkategorie:	SiC-MOSFETs
RoHS:
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	HSOF-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	650 V
Id - Drain-Gleichstrom:	131 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	18 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 7 V to 23 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4.5 V
Qg - Gate-Ladung:	148 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	535 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	CoolSiC
Marke:	Infineon Technologies
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	MY
Land der Verbreitung:	AT
Ursprungsland:	MY
Abfallzeit:	6.4 ns
Feuchtigkeitsempfindlich:	Yes
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Produkt:	SiC MOSFETS
Produkt-Typ:	SiC MOSFETS
Anstiegszeit:	14.7 ns
Serie:	650V G2
Verpackung ab Werk:	2000
Unterkategorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Transistorart:	1 N-Channel
Typ:	SiC MOSFET
Regelabschaltverzögerungszeit:	22 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	11.6 ns
Artikel # Aliases:	IMT65R015M2H SP006051122

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Datenblatt

IMT65R015M2HXUMA1 Datenblatt (PDF)

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CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

CoolSiC™ 650 V G2 Siliziumkarbid-MOSFETs

Die 650-V-Siliciumcarbid-MOSFETs G2 CoolSiC™ von Infineon Technologies nutzen das Betriebsverhalten von Siliciumcarbid und reduzieren Energieverluste, was zu einem höheren Wirkungsgrad während der Leistungsumwandlung führt. Die 650-V-Siliciumcarbid-MOSFETs G2 CoolSiC™ von Infineon Technologies bieten Vorteile für verschiedene Halbleiter-Energieanwendungen, wie Photovoltaik, Energiespeicher, DC-EV-Ladestationen, Motorantriebe und industrielle Stromversorgung. Eine DC-Schnellladestation für Elektrofahrzeuge, die mit CoolSiC G2 ausgestattet sind, ermöglicht bis zu 10 % weniger Leistungsverlust als frühere Generationen und gleichzeitig eine höhere Speicherkapazität ohne Kompromisse bei den Formfaktoren.