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IPB160N04S4-H1

Name: Infineon IPB160N04S4-H1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IPB160N04S4-H1
Price: 2.66 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

726-IPB160N04S4-H1

Herst.- Nr.:

IPB160N04S4-H1

Herst.:

Infineon Technologies

Beschreibung:

MOSFETs N-Ch 40V 160A D2PAK-6 OptiMOS-T2

Datenblatt:

IPB160N04S4-H1 Datenblatt (PDF)

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Cut-Tape

MouseReel™ (+CHF 7.00)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	CHF 2.66	CHF 2.66
	CHF 1.73	CHF 17.30
	CHF 1.33	CHF 133.00
	CHF 1.11	CHF 555.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 1000)
	CHF 0.961	CHF 961.00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

Alternativverpackung

Herst. Teilenr.:

IPB160N04S4H1ATMA1

Verpackung:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Verfügbarkeit:

Auf Lager

Preis:

CHF 2.78

Min:

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Herst.:

Infineon Technologies

Herst.- Nr.:

IPB160N04S4H1ATMA1

Beschreibung:

MOSFETs N-Ch 40V 160A D2PAK-6 OptiMOS-T2

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Infineon
Produktkategorie:	MOSFETs
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	TO-263-7
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	40 V
Id - Drain-Gleichstrom:	160 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	1.4 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2 V
Qg - Gate-Ladung:	137 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	167 W
Kanalmodus:	Enhancement
Qualifikation:	AEC-Q100
Handelsname:	OptiMOS
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Infineon Technologies
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	MY
Abfallzeit:	33 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	22 ns
Serie:	OptiMOS-T2
Verpackung ab Werk:	1000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	29 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	28 ns
Artikel # Aliases:	IPB16N4S4H1XT SP000711252 IPB160N04S4H1ATMA1
Gewicht pro Stück:	1.600 g

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Datenblatt

IPB160N04S4-H1 Datenblatt (PDF)

Product Catalogs

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
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ECCN:: EAR99

Infineon OptiMOS™ 3

Infineon's OptiMOS™ 3 40V, 60V, and 80V families reduce power losses up to 30% in a given standard TO package. The low switching losses and on-state resistance of the devices enable an increase in power densities by up to 30% and a reduction in part count for a given application by more than 25%, compared to competitive solutions. The OptiMOS™ 3 devices offer best-in-class RDS(on), achieving an RDS(on) as low as 1.6mΩ for 40V products in SuperSO8™ packages, 3.5mΩ for 60V products in D-PAK packages, and 2.5mΩ for 80V products in D2-PAK packages. The MOSFETs are ideal for a variety of power conversion and management applications, including SMPSs, DC/DC converters, and DC motor drives.

N-Channel OptiMOS™ Power MOSFETs

Infineon N-Channel OptiMOS™ Power MOSFETs are class leading power MOSFETs for highest power density and energy efficient solutions. Ultra low gate and output charges together with lowest on state resistance in small footprint packages make Infineon N-Channel OptiMOS™ Power MOSFETs the best choice for the demanding requirements of voltage regulator solutions in servers, datacom, and telecom applications. Super fast switching Control FETs together with low EMI Sync FETs provide solutions that are easy to design in. Infineon N-Channel OptiMOS™ Power Transistors provide excellent gate charge and are optimized for dc-dc conversion. OptiMOS™ products are available in high performance packages to tackle the most challenging applications giving full flexibility in optimizing space, efficiency and cost. OptiMOS™ products are designed to meet and exceed the energy efficiency and power density requirements of the sharpened next generation voltage regulation standards in computing applications.

20-V- bis 40-V-n-Kanal-Automotive-MOSFETs

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