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IPB200N25N3 G

Name: Infineon IPB200N25N3 G
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IPB200N25N3GXT
Price: 6.09 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

726-IPB200N25N3GXT

Herst.- Nr.:

IPB200N25N3 G

Herst.:

Infineon Technologies

Beschreibung:

MOSFETs N-Ch 250V 64A D2PAK-2 OptiMOS 3

Datenblatt:

IPB200N25N3 G Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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CHF -.--

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Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 1000)

Cut-Tape

MouseReel™ (+CHF 7.00)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	CHF 6.09	CHF 6.09
	CHF 4.54	CHF 45.40
	CHF 3.67	CHF 367.00
	CHF 3.29	CHF 1 645.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 1000)
	CHF 2.89	CHF 2 890.00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

Alternativverpackung

Herst. Teilenr.:

IPB200N25N3GATMA1

Verpackung:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Verfügbarkeit:

Auf Lager

Preis:

CHF 6.63

Min:

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Infineon
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	D2PAK-3 (TO-263-3)
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	250 V
Id - Drain-Gleichstrom:	64 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	17.5 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2 V
Qg - Gate-Ladung:	86 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	300 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	OptiMOS
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Infineon Technologies
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	DE
Abfallzeit:	12 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	61 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	20 ns
Serie:	OptiMOS 3
Verpackung ab Werk:	1000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	45 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	18 ns
Artikel # Aliases:	SP000677896 IPB2N25N3GXT IPB200N25N3GATMA1
Gewicht pro Stück:	4 g

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Datenblatt

IPB200N25N3 G Datenblatt (PDF)

Product Catalogs

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
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ECCN:: EAR99

CoolMOS™ N-Kanal MOSFETs

Infineon OptiMOS™ und CoolMOS™ N-Kanal Power MOSFETs setzt den Standard für hohe Leistung und Energieeffizienz. Die Infineon OptiMOS Niedrigspannungs-MOSFET Familie weist eine Kombination des branchenweit niedrigsten Durchlasswiderstands und der besten Schaltleistung im Spannungsbereich zwischen 20V und 250V auf. Die neue OptiMOS 25V und 30V Produktfamilie setzt neue Standards für Leistungsdichte und Energieeffizienz für diskrete Power-MOSFETs. Diese Geräte sind anwendungsspezifisch optimiert für Netzteile von Servern, Notebooks, Telecom / Datacomschaltern und viele mehr. Die revolutionäre Infineon CoolMOS Powerfamilie setzt neue Standards in Energieeffizienz und entwickelt branchenweit führende Hochspannungs-MOSFETs. CoolMOS bietet erheblich gesenkte Leitungs- und Schaltverluste und ermöglicht hohe Leistungsdichte und -effizienz für überlegene Energieumwandlungssysteme. CoolMOS C6 / E6 Power MOSFETs verbindet die Vorteile von Superjunction-Spitzengeräten mit den Stärken von handelsüblichen Power-Halbleitern.

N-Channel OptiMOS™ Power MOSFETs

Infineon N-Channel OptiMOS™ Power MOSFETs are class-leading power MOSFETs for the highest power density and energy-efficient solutions. Ultra-low gate and output charges, together with the lowest on-state resistance in small footprint packages, make ideal choices for the demanding requirements of voltage regulator solutions in servers, datacom, and telecom applications. Superfast switching Control FETs, together with low EMI Sync FETs, provide solutions that are easy to design. Infineon N-Channel OptiMOS™ Power MOSFETs provide excellent gate charge and are optimized for DC-DC conversion.

Infineon Automatische Öffnungssysteme

Die Infineon automatischen Öffnungssysteme integrieren intelligente Sensoren, Motorsteuerungen, Zubehör und Batteriemanagement, um Schiebe- und Drehtüren, Garagentore, Markisen und Rollläden zu automatisieren. Diese Türen werden dann mit Systemen ausgestattet, die in der Lage sind, den Öffnungsvorgang zu verwalten, ein unbeabsichtigtes Öffnen zu vermeiden, die Geschwindigkeit und das Drehmoment zu steuern, die Anwesenheit von Objekten entlang des Wegs zu erfassen und eine Reihe von anderen Funktionen.
Weitere Informationen

Infineon OptiMOS™ 3

Infineon's OptiMOS™ 3 40V, 60V, and 80V families reduce power losses up to 30% in a given standard TO package. The low switching losses and on-state resistance of the devices enable an increase in power densities by up to 30% and a reduction in part count for a given application by more than 25%, compared to competitive solutions. The OptiMOS™ 3 devices offer best-in-class RDS(on), achieving an RDS(on) as low as 1.6mΩ for 40V products in SuperSO8™ packages, 3.5mΩ for 60V products in D-PAK packages, and 2.5mΩ for 80V products in D2-PAK packages. The MOSFETs are ideal for a variety of power conversion and management applications, including SMPSs, DC/DC converters, and DC motor drives.