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IPB45N06S4L08ATMA3

Name: Infineon IPB45N06S4L08ATMA3
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IPB45N06S4L08AT3
Price: 1.76 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

726-IPB45N06S4L08AT3

Herst.- Nr.:

IPB45N06S4L08ATMA3

Herst.:

Infineon Technologies

Lebenszyklus:

NRND:

Nicht empfohlen für neue Designs.

Datenblatt:

ECAD Model:

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Infineon
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	D2PAK-3 (TO-263-3)
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	60 V
Id - Drain-Gleichstrom:	45 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	7.9 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 16 V, 16 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	1.7 V
Qg - Gate-Ladung:	64 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	71 W
Kanalmodus:	Enhancement
Qualifikation:	AEC-Q101
Handelsname:	OptiMOS
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	Infineon Technologies
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	MY
Abfallzeit:	8 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	2 ns
Serie:	OptiMOS T2
Verpackung ab Werk:	1000
Unterkategorie:	Transistors
Regelabschaltverzögerungszeit:	45 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	9 ns
Artikel # Aliases:	IPB45N06S4L-08 SP001067954
Gewicht pro Stück:	4 g