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IPB70N10S3L-12

Name: Infineon IPB70N10S3L-12
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IPB70N10S3L-12
Price: 3.1 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

726-IPB70N10S3L-12

Herst.- Nr.:

IPB70N10S3L-12

Herst.:

Infineon Technologies

Beschreibung:

MOSFETs N-Ch 100V 70A D2PAK-2 OptiMOS-T

Lebenszyklus:

NRND:

Nicht empfohlen für neue Designs.

Datenblatt:

IPB70N10S3L-12 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Cut-Tape

MouseReel™ (+CHF 7.00)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	CHF 3.10	CHF 3.10
	CHF 2.03	CHF 20.30
	CHF 1.42	CHF 142.00
	CHF 1.21	CHF 605.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 1000)
	CHF 1.11	CHF 1 110.00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Infineon
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	D2PAK-3 (TO-263-3)
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	100 V
Id - Drain-Gleichstrom:	70 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	12 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	1.7 V
Qg - Gate-Ladung:	60 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	125 W
Kanalmodus:	Enhancement
Qualifikation:	AEC-Q100
Handelsname:	OptiMOS
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Infineon Technologies
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	AT
Abfallzeit:	5 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	5 ns
Serie:	OptiMOS-T
Verpackung ab Werk:	1000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	28 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	10 ns
Artikel # Aliases:	SP000379631 IPB7N1S3L12XT IPB70N10S3L12ATMA1
Gewicht pro Stück:	4 g

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Datenblatt

IPB70N10S3L-12 Datenblatt (PDF)

Product Catalogs

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Infineon OptiMOS™ 3

Infineon's OptiMOS™ 3 40V, 60V, and 80V families reduce power losses up to 30% in a given standard TO package. The low switching losses and on-state resistance of the devices enable an increase in power densities by up to 30% and a reduction in part count for a given application by more than 25%, compared to competitive solutions. The OptiMOS™ 3 devices offer best-in-class RDS(on), achieving an RDS(on) as low as 1.6mΩ for 40V products in SuperSO8™ packages, 3.5mΩ for 60V products in D-PAK packages, and 2.5mΩ for 80V products in D2-PAK packages. The MOSFETs are ideal for a variety of power conversion and management applications, including SMPSs, DC/DC converters, and DC motor drives.

Infineon Automatische Öffnungssysteme

Die Infineon automatischen Öffnungssysteme integrieren intelligente Sensoren, Motorsteuerungen, Zubehör und Batteriemanagement, um Schiebe- und Drehtüren, Garagentore, Markisen und Rollläden zu automatisieren. Diese Türen werden dann mit Systemen ausgestattet, die in der Lage sind, den Öffnungsvorgang zu verwalten, ein unbeabsichtigtes Öffnen zu vermeiden, die Geschwindigkeit und das Drehmoment zu steuern, die Anwesenheit von Objekten entlang des Wegs zu erfassen und eine Reihe von anderen Funktionen.
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75 V bis 100 V n-Kanal-Automotive-MOSFETs

Infineon Technologies 75 V bis 100 V n-Kanal-Automotive-MOSFETs sind AEC-Q101-qualifiziert für Automotive-Applikationen und in einer großen Auswahl an Gehäusetypen verfügbar, einschließlich D-PAK, TOLL (HSOF-8), TOLG (HSOG-8) und SSO8 (TDSON-8). Diese MOSFETs eignen sich hervorragend für Kraftstoffeinspritzsysteme, kabellose Fahrzeugladeapplikationen und das C0₂ emissionsreduzierende 48 V Leistungssubsystem, das als Board Net bekannt ist.

N-Channel OptiMOS™ Power MOSFETs

Infineon N-Channel OptiMOS™ Power MOSFETs are class leading power MOSFETs for highest power density and energy efficient solutions. Ultra low gate and output charges together with lowest on state resistance in small footprint packages make Infineon N-Channel OptiMOS™ Power MOSFETs the best choice for the demanding requirements of voltage regulator solutions in servers, datacom, and telecom applications. Super fast switching Control FETs together with low EMI Sync FETs provide solutions that are easy to design in. Infineon N-Channel OptiMOS™ Power Transistors provide excellent gate charge and are optimized for dc-dc conversion. OptiMOS™ products are available in high performance packages to tackle the most challenging applications giving full flexibility in optimizing space, efficiency and cost. OptiMOS™ products are designed to meet and exceed the energy efficiency and power density requirements of the sharpened next generation voltage regulation standards in computing applications.