IPBE65R115CFD7AATMA1

Infineon Technologies
726-IPBE65R115CFD7AA
IPBE65R115CFD7AATMA1

Herst.:

Beschreibung:
MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS

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Produktattribut Attributwert Attribut auswählen
Infineon
Produktkategorie: MOSFETs
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
TO-263-7
N-Channel
1 Channel
650 V
21 A
115 mOhms
- 20 V, 20 V
4 V
41 nC
- 40 C
+ 150 C
114 W
Enhancement
AEC-Q101
CoolMOS
Reel
Cut Tape
Marke: Infineon Technologies
Land der Bestückung: Not Available
Land der Verbreitung: Not Available
Ursprungsland: DE
Abfallzeit: 4 ns
Produkt-Typ: MOSFETs
Anstiegszeit: 3 ns
Serie: CoolMOS CFD7A
Verpackung ab Werk: 1000
Unterkategorie: Transistors
Regelabschaltverzögerungszeit: 61 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 17 ns
Artikel # Aliases: IPBE65R115CFD7A SP002561838
Gewicht pro Stück: 1.600 g
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Ausgewählte Attribute: 0

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CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

650 V CoolMOS™ CFD7A SJ-Leistungs-MOSFETs

650-V-CoolMOS ™ -CFD7A-SJ-Leistungs-MOSFETs von Infineon Technologies sind für Elektrofahrzeug-Applikationen, wie z. B. On-Board-Ladegeräte, HV/LV-DC/DC-Wandler und Hilfsnetzteile ausgelegt. Dank der verbesserten Robustheit der kosmischen Strahlung ermöglichen die CoolMOS-CFD7A-SJ-Leistungs-MOSFETs höhere Batteriespannungen mit einer Zuverlässigkeitsrate, die der früheren Generationen und anderen Marktangeboten entspricht. CoolMOS-CFD7A-SJ-Leistungs-MOSFETs gewährleisten hohe Wirkungsgrade in hart- und resonant schaltenden Topologien, insbesondere bei leichten Lastbedingungen. Höhere Schaltfrequenzen bei Gate-Verlustpegeln, die mit denen früherer Generationen vergleichbar sind, werden erreicht. Die Reduzierung des Systemgewichts und der kleinere Platzbedarf führen zu kompakteren Designs.

CoolMOS™ Superjunction-MOSFETs

CoolMOS™ -Leistungstransistoren von Infineon bieten alle Vorteile eines schnell schaltenden SJ-MOSFETs. In Kombination mit der Generation CoolMOS 7 setzt Infineon weiterhin Preis-, Leistungs- und Qualitätsmaßstäbe.

CFD7 CoolMOS™ MOSFETs

Infineon Technologies CFD7 CoolMOS™ MOSFETs sind ideal für resonante Hochleistungstopologien und verfügen über die neuste Hochspannungs-Superjunction-MOSFET-Technologie. Die MOSFETs verfügen über eine integrierte schnelle Body-Diode und vervollständigen die CoolMOS 7er-Baureihe. Typische Hochleistungs-SNT-Applikationen umfassen Server, Telekommunikation und EV-Ladestationen.

Erleben Sie den Unterschied in der Leistung

Infineon ist führend auf dem Leistungshalbleiter-Markt. Mit mehr als 20 Jahren Erfahrung und als Innovator der revolutionären CoolMOSTM™ -Superjunction-MOSFET-Technologie ist Infineon weiterhin eine Vorreiterrolle im Bereich des Energiemanagements. Kunden können basierend auf individuellen Design-/Systemanforderungen aus dem branchenweit breitesten Silizium-basierten SJ-MOSFET-Portfolio auswählen. Als einer der wenigen Hersteller, die alle drei Hauptenergietechnologien beherrschen, ergänzt Infineon dieses Sortiment durch ein bahnbrechendes Breitbandlücken-Angebot (WBG). Dieses Angebot umfasst Siliziumkarbid-basierte CoolSiC™-MOSFETs, Anpassungsdioden und Galliumnitrid-basierte CoolGaN ™ -E-Modus-HEMTs. Es gibt Lösungen, die von einem hervorragenden Preis-Leistungs-Verhältnis über eine unübertroffene Robustheit bis hin zu Geräten der Spitzenklasse reichen. Dies ermöglicht Kunden, effizientere, umweltfreundlichere und nachhaltigere Applikationen zu erstellen.