IPBE65R230CFD7AATMA1

Infineon Technologies
726-IPBE65R230CFD7AA
IPBE65R230CFD7AATMA1

Herst.:

Beschreibung:
MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS

ECAD Model:
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Preis (CHF)

Menge Stückpreis
Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™
CHF 3.13 CHF 3.13
CHF 2.05 CHF 20.50
CHF 1.44 CHF 144.00
CHF 1.24 CHF 620.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 1000)
CHF 1.15 CHF 1 150.00
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Infineon
Produktkategorie: MOSFETs
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
TO-263-7-11
N-Channel
1 Channel
650 V
11 A
439 mOhms
- 20 V, 20 V
4 V
23 nC
- 55 C
+ 150 C
63 W
Enhancement
AEC-Q101
CoolMOS
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marke: Infineon Technologies
Land der Bestückung: Not Available
Land der Verbreitung: Not Available
Ursprungsland: MY
Abfallzeit: 5 ns
Produkt-Typ: MOSFETs
Anstiegszeit: 3 ns
Serie: CoolMOS CFD7A
Verpackung ab Werk: 1000
Unterkategorie: Transistors
Regelabschaltverzögerungszeit: 56 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 13 ns
Artikel # Aliases: IPBE65R230CFD7A SP005344079
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Ausgewählte Attribute: 0

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CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

CoolMOS™ Power Transistors

Infineon CoolMOS™ Power Transistors use the revolutionary CoolMOS™ technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the superjunction (SJ) principle and pioneered by Infineon. CoolMOS™ C6 and E6 power transistor series combine the experience of the leading SJ MOSFET supplier with high-class innovation. The resulting devices provide all the benefits of a fast switching SJ MOSFET while not sacrificing ease of use. Extremely low switching and conduction losses make switching applications even more efficient, more compact, lighter, and cooler.

650 V CoolMOS™ CFD7A SJ-Leistungs-MOSFETs

650-V-CoolMOS ™ -CFD7A-SJ-Leistungs-MOSFETs von Infineon Technologies sind für Elektrofahrzeug-Applikationen, wie z. B. On-Board-Ladegeräte, HV/LV-DC/DC-Wandler und Hilfsnetzteile ausgelegt. Dank der verbesserten Robustheit der kosmischen Strahlung ermöglichen die CoolMOS-CFD7A-SJ-Leistungs-MOSFETs höhere Batteriespannungen mit einer Zuverlässigkeitsrate, die der früheren Generationen und anderen Marktangeboten entspricht. CoolMOS-CFD7A-SJ-Leistungs-MOSFETs gewährleisten hohe Wirkungsgrade in hart- und resonant schaltenden Topologien, insbesondere bei leichten Lastbedingungen. Höhere Schaltfrequenzen bei Gate-Verlustpegeln, die mit denen früherer Generationen vergleichbar sind, werden erreicht. Die Reduzierung des Systemgewichts und der kleinere Platzbedarf führen zu kompakteren Designs.