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IPD35N10S3L26ATMA2

Name: Infineon IPD35N10S3L26ATMA2
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IPD35N10S3L26AT2
Price: 1.92 CHF
Availability: InStock

Mouser-Nr.:

726-IPD35N10S3L26AT2

Herst.- Nr.:

IPD35N10S3L26ATMA2

Herst.:

Infineon Technologies

Beschreibung:

MOSFETs 100 V, N-Ch, 24 m? max, Automotive MOSFET, DPAK, OptiMOS-T

Datenblatt:

IPD35N10S3L26ATMA2 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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CHF -.--

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Gehäuse:

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Cut-Tape

MouseReel™ (+CHF 7.00)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	CHF 1.92	CHF 1.92
	CHF 1.26	CHF 12.60
	CHF 0.819	CHF 81.90
	CHF 0.65	CHF 325.00
	CHF 0.606	CHF 606.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)
	CHF 0.559	CHF 1 397.50

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Infineon
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	TO-252-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	100 V
Id - Drain-Gleichstrom:	35 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	24 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2.4 V
Qg - Gate-Ladung:	30 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	71 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	OptiMOS
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Infineon Technologies
Land der Bestückung:	MY
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	MY
Abfallzeit:	3 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	4 ns
Verpackung ab Werk:	2500
Unterkategorie:	Transistors
Regelabschaltverzögerungszeit:	18 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	6 ns
Artikel # Aliases:	IPD35N10S3L26ATMA2 SP005549678

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Datenblatt

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USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

N-Channel OptiMOS™ Power MOSFETs

Infineon N-Channel OptiMOS™ Power MOSFETs are class-leading power MOSFETs for the highest power density and energy-efficient solutions. Ultra-low gate and output charges, together with the lowest on-state resistance in small footprint packages, make ideal choices for the demanding requirements of voltage regulator solutions in servers, datacom, and telecom applications. Superfast switching Control FETs, together with low EMI Sync FETs, provide solutions that are easy to design. Infineon N-Channel OptiMOS™ Power MOSFETs provide excellent gate charge and are optimized for DC-DC conversion.