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IPD42DP15LMATMA1

Name: Infineon IPD42DP15LMATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IPD42DP15LMATMA1
Price: 1.69 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

726-IPD42DP15LMATMA1

Herst.- Nr.:

IPD42DP15LMATMA1

Herst.:

Infineon Technologies

Beschreibung:

MOSFETs IFX FET >100-150V

Datenblatt:

IPD42DP15LMATMA1 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

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	CHF 1.69	CHF 1.69
	CHF 1.09	CHF 10.90
	CHF 0.727	CHF 72.70
	CHF 0.579	CHF 289.50
	CHF 0.54	CHF 540.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)
	CHF 0.512	CHF 1 280.00

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Infineon
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Transistorpolung:	P-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	150 V
Id - Drain-Gleichstrom:	9 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	420 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2 V
Qg - Gate-Ladung:	43 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	83 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	Infineon Technologies
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	MY
Produkt-Typ:	MOSFETs
Serie:	IPD42DP15
Verpackung ab Werk:	2500
Unterkategorie:	Transistors
Artikel # Aliases:	IPD42DP15LM SP005343875

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CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

12-V- bis 250-V-p-Kanal-Leistungs-MOSFETs

Die 12-V- bis 250-V-p-Kanal-Leistungs-MOSFETs von Infineon bieten dem Designer eine neue Option, die einfachere Schaltungen bei gleichzeitiger Optimierung der Leistung ermöglicht. Der Hauptvorteil eines p-Kanal-Bauteils ist die Reduzierung der Design-Komplexität in Applikationen mit mittlerer und niedriger Leistung. Die p-Kanal-Leistungs-MOSFETs eignen sich hervorragend für den Batterieschutz, den Umpolungsschutz, lineare Ladegeräte, Lastschalter, DC/DC-Wandler und Niederspannungsantriebs-Applikationen.