IPD50R650CEAUMA1

Infineon Technologies
726-IPD50R650CEAUMA1
IPD50R650CEAUMA1

Herst.:

Beschreibung:
MOSFETs CONSUMER

Lebenszyklus:
NRND:
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REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
500 V
9 A
1.54 Ohms
- 20 V, 20 V
3 V
15 nC
- 55 C
+ 150 C
69 W
Enhancement
CoolMOS
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marke: Infineon Technologies
Land der Bestückung: Not Available
Land der Verbreitung: Not Available
Ursprungsland: CN
Abfallzeit: 13 ns
Feuchtigkeitsempfindlich: Yes
Produkt-Typ: MOSFETs
Anstiegszeit: 5 ns
Serie: CoolMOS CE
Verpackung ab Werk: 2500
Unterkategorie: Transistors
Transistorart: 1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit: 27 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 6 ns
Artikel # Aliases: IPD50R650CE SP001396796
Gewicht pro Stück: 330 mg
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CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

CoolMOS™ CE Leistungs-MOSFETs

Die CoolMOS™ CE Leistungs-MOSFETs von Infineon sind eine nach dem Kompensationsprinzip (Superjunction, SJ) entwickelte Technologieplattform aus Hochspannungs-MOSFETs. Das Portfolio umfasst CoolMOS™ CEs mit 500 V, 600 V, 650 V, 700 V, und 800 V, die für den Einsatz in Ladegeräten mit geringem Stromverbrauch für Mobilgeräte, Elektrowerkzeuge, Adapter für Notebooks und Laptops, LCD- und LED-Fernseher und LED-Leuchten gedacht sind. Diese neue Baureihe von CoolMOS™ ist kostenoptimiert, um die typischen Anforderungen in Anwendungen für Endverbraucher ohne Kompromisse bei der bewährten CoolMOS ™ Qualität und Zuverlässigkeit zu erfüllen, und gleichzeitig immer noch preislich attraktiv zu bleiben.
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