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IPD80R360P7ATMA1

Name: Infineon IPD80R360P7ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IPD80R360P7ATMA1
Price: 2.53 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

726-IPD80R360P7ATMA1

Herst.- Nr.:

IPD80R360P7ATMA1

Herst.:

Infineon Technologies

Beschreibung:

MOSFETs LOW POWER_NEW

Datenblatt:

IPD80R360P7ATMA1 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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MouseReel™ (+CHF 7.00)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	CHF 2.53	CHF 2.53
	CHF 1.65	CHF 16.50
	CHF 1.16	CHF 116.00
	CHF 0.951	CHF 475.50
	CHF 0.891	CHF 891.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)
	CHF 0.826	CHF 2 065.00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Infineon
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	DPAK-3 (TO-252-3)
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	800 V
Id - Drain-Gleichstrom:	13 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	310 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2.5 V
Qg - Gate-Ladung:	30 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	84 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	CoolMOS
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Infineon Technologies
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	DE
Abfallzeit:	6 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	6 ns
Serie:	CoolMOS P7
Verpackung ab Werk:	2500
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	40 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	10 ns
Artikel # Aliases:	IPD80R360P7 SP001633516
Gewicht pro Stück:	360 mg

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IPD80R360P7ATMA1 Datenblatt (PDF)

Application Notes

Product Catalogs

SPICE Models

Simulation Model CoolMOS™ Power MOSFET PSpice 800V P7 (Zip)

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

CoolMOS™ 7 Superjunction-MOSFETs

Infineon Technologies CoolMOS™ 7 Superjunction-MOSFETs setzen neue Standards in puncto Energieeffizienz, Leistungsdichte und Benutzerfreundlichkeit. Die CoolMOS-7-Technologie ist für spezifische Applikationen mit innovativen Gehäusekonzepten und verschiedenen Technologien optimiert. CoolMOS 7 MOSFETS eignen sich hervorragend für Applikationen, die z. B. Ladestationen für Elektrofahrzeuge verkleinern und höhere Ausgänge bieten, was eine schnellere Aufladung des Autos zur Folge hat. Durch CoolMOS 7 sind neue Generationen von Adaptern und Ladegeräten kleiner, leichter und effizienter. Mit CoolMOS 7 können Ingenieure erneuerbare Energiesysteme günstiger und effizienter gestalten.

CoolMOS™ P7-MOSFETs

Infineon Technologies CoolMOS™ P7-MOSFETs bieten ein erstklassiges Preis-/Leistungsverhältnis mit benutzerfreundlicher Handhabung zur Bewältigung von Herausforderungen in verschiedenen Applikationen. Die CoolMOS 700V- und 800V-P7-Leistungs-MOSFETs wurden für Flyback-basierte, stromsparende SNT-Applikationen, einschließlich Adapter und Ladegerät, Beleuchtung, Audio-SNT, AUX und Industrieleistung ausgelegt. Die 600 V CoolMOS P7-Leistungs-MOSFETs zielen nicht nur auf stromsparende, sondern auch auf Hochleistungs-SNT-Applikationen wie z. B. Solar-Wechselrichter, Server und ferngesteuerte EV-Ladestationen ab. Die P7 sind für harte und weiche Schalttopologien vollständig optimiert.

800 V CoolMOS P7 Leistungstransistoren

Die 800 V CoolMOS P7 Leistungstransistoren von Infineon kombinieren klassenbeste Leistung mit Benutzerfreundlichkeit. Die P7 setzen neue Maßstäbe in der 800 V-Super-Junction-Technologie. Die Transistoren bieten bis zu 0,6 Prozent Wirkungsgradverstärkung und eine 2 °C bis 8 °C niedrigere MOSFET-Temperatur.
Mehr erfahren

USB-C-Ladegeräte und -Adapter

Infineon Technologies bietet maßgeschneiderte Halbleiter, welche die Prioritäten der Kunden berücksichtigen — Preis/Leistung vs. (extrem) hohe Leistungsdichte. Das Portfolio umfasst die gesamte USB-C™ -Quellen-Produktkette, die von HV-/LV-Leistungsschaltern bis zu PWM-Controllern, USB-C-Controllern für die Stromversorgung sowie ESD-Schutzbauteilen reicht.

Erleben Sie den Unterschied in der Leistung

Infineon ist führend auf dem Leistungshalbleiter-Markt. Mit mehr als 20 Jahren Erfahrung und als Innovator der revolutionären CoolMOSTM™ -Superjunction-MOSFET-Technologie ist Infineon weiterhin eine Vorreiterrolle im Bereich des Energiemanagements. Kunden können basierend auf individuellen Design-/Systemanforderungen aus dem branchenweit breitesten Silizium-basierten SJ-MOSFET-Portfolio auswählen. Als einer der wenigen Hersteller, die alle drei Hauptenergietechnologien beherrschen, ergänzt Infineon dieses Sortiment durch ein bahnbrechendes Breitbandlücken-Angebot (WBG). Dieses Angebot umfasst Siliziumkarbid-basierte CoolSiC™-MOSFETs, Anpassungsdioden und Galliumnitrid-basierte CoolGaN ™ -E-Modus-HEMTs. Es gibt Lösungen, die von einem hervorragenden Preis-Leistungs-Verhältnis über eine unübertroffene Robustheit bis hin zu Geräten der Spitzenklasse reichen. Dies ermöglicht Kunden, effizientere, umweltfreundlichere und nachhaltigere Applikationen zu erstellen.

CoolMOS™ Superjunction-MOSFETs

CoolMOS™ -Leistungstransistoren von Infineon bieten alle Vorteile eines schnell schaltenden SJ-MOSFETs. In Kombination mit der Generation CoolMOS 7 setzt Infineon weiterhin Preis-, Leistungs- und Qualitätsmaßstäbe.