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IPT60R022S7XTMA1

Name: Infineon IPT60R022S7XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IPT60R022S7XTMA1
Price: 9.58 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

726-IPT60R022S7XTMA1

Herst.- Nr.:

IPT60R022S7XTMA1

Herst.:

Infineon Technologies

Beschreibung:

MOSFETs HIGH POWER_NEW

Datenblatt:

IPT60R022S7XTMA1 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Cut-Tape

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Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	CHF 9.58	CHF 9.58
	CHF 6.62	CHF 66.20
	CHF 5.71	CHF 571.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2000)
	CHF 5.71	CHF 11 420.00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Infineon
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	HSOF-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	600 V
Id - Drain-Gleichstrom:	23 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	22 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4.5 V
Qg - Gate-Ladung:	150 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	390 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	CoolMOS
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Infineon Technologies
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	MY
Land der Verbreitung:	DE
Ursprungsland:	DE
Abfallzeit:	9 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	4 ns
Serie:	S7
Verpackung ab Werk:	2000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	150 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	30 ns
Artikel # Aliases:	IPT60R022S7 SP003330410
Gewicht pro Stück:	771.020 mg

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Datenblatt

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Erleben Sie den Unterschied in der Leistung

Infineon ist führend auf dem Leistungshalbleiter-Markt. Mit mehr als 20 Jahren Erfahrung und als Innovator der revolutionären CoolMOSTM™ -Superjunction-MOSFET-Technologie ist Infineon weiterhin eine Vorreiterrolle im Bereich des Energiemanagements. Kunden können basierend auf individuellen Design-/Systemanforderungen aus dem branchenweit breitesten Silizium-basierten SJ-MOSFET-Portfolio auswählen. Als einer der wenigen Hersteller, die alle drei Hauptenergietechnologien beherrschen, ergänzt Infineon dieses Sortiment durch ein bahnbrechendes Breitbandlücken-Angebot (WBG). Dieses Angebot umfasst Siliziumkarbid-basierte CoolSiC™-MOSFETs, Anpassungsdioden und Galliumnitrid-basierte CoolGaN ™ -E-Modus-HEMTs. Es gibt Lösungen, die von einem hervorragenden Preis-Leistungs-Verhältnis über eine unübertroffene Robustheit bis hin zu Geräten der Spitzenklasse reichen. Dies ermöglicht Kunden, effizientere, umweltfreundlichere und nachhaltigere Applikationen zu erstellen.

CoolMOS™ Superjunction-MOSFETs

CoolMOS™ -Leistungstransistoren von Infineon bieten alle Vorteile eines schnell schaltenden SJ-MOSFETs. In Kombination mit der Generation CoolMOS 7 setzt Infineon weiterhin Preis-, Leistungs- und Qualitätsmaßstäbe.

CoolMOS™ SJ S7/S7T 600-V-Leistungs-MOSFETs

Die 600-V-Leistungs-MOSFETs CoolMOS™ S7/S7T von Infineon Technologies bieten ein ideales Preis-Leistungs-Verhältnis für Niederfrequenz-Schaltapplikationen. Die Baureihen S7 und S7T der Produktfamilie CoolMOS verfügen über einen niedrigen R_{DS (on)} -Wert für einen HV-SJ-MOSFET mit einer Erhöhung der Energieeffizienz. Die MOSFETs der Baureihen S7 und S7T der Produktfamilie CoolMOS sind für statische Schalt- und Hochstrom-Applikationen optimiert. Die MOSFETs sind in einem TOLL- oder Q-DPAK-Gehäuse mit Ausführungen auf der Ober- und Unterseite verfügbar. Die MOSFETs CoolMOS SJ/S7 sind für Applikationen ausgelegt, bei denen Schaltverluste irrelevant sind. Zur Verbesserung der Genauigkeit der Sperrschichttemperaturmessung verfügen die Bauteile CoolMOS SJ/S7T über einen Temperatursensor. Die Bauteile sind für Solid-State-Lösungen, wie z. B. Solid-State-Leistungsschalter und Solid-State-Relais-Applikationen (SSR), optimiert.