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IPT60R055CM8XTMA1

Name: Infineon IPT60R055CM8XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IPT60R055CM8XTMA
Price: 4.6 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

726-IPT60R055CM8XTMA

Herst.- Nr.:

IPT60R055CM8XTMA1

Herst.:

Infineon Technologies

Beschreibung:

MOSFETs 600VCoolMOSCM8PowerTransistor

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

Neu von diesem Hersteller.

Datenblatt:

IPT60R055CM8XTMA1 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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	CHF 2.19	CHF 1 095.00
	CHF 2.17	CHF 2 170.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2000)
	CHF 2.05	CHF 4 100.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Infineon
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	PG-HSOF-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	600 V
Id - Drain-Gleichstrom:	48 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	55 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V to 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4.7 V
Qg - Gate-Ladung:	51 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	278 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	CoolMOS
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	Infineon Technologies
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	DE
Ursprungsland:	DE
Abfallzeit:	7.4 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	6.4 ns
Verpackung ab Werk:	2000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	97.5 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	18.6 ns
Artikel # Aliases:	IPT60R055CM8 SP006023063

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Datenblatt

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

CoolMOS™ 8-SJ-MOSFETs

Infineon Technologies CoolMOS™ 8-SJ-MOSFETs sind Hochspannungs-Super-Junction-MOSFET-Technologielösungen. Der CoolMOS 8 von Infineon Technologies verfügt über eine integrierte schnelle Bodydiode und eignet sich hervorragend für verschiedene Applikationen. Der CoolMOS 8 erweitert das Breitbandlücken-Portfolio (WBG) des Infineon als Nachfolger der 600 V CoolMOS 7 MOSFET-Produktfamilie.