IPT60R080G7XTMA1

Infineon Technologies
726-IPT60R080G7XTMA1
IPT60R080G7XTMA1

Herst.:

Beschreibung:
MOSFETs HIGH POWER_NEW

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Infineon
Produktkategorie: MOSFETs
RoHS:  
Si
SMD/SMT
HSOF-8
N-Channel
1 Channel
650 V
29 A
80 mOhms
- 30 V, 30 V
3 V
42 nC
- 55 C
+ 150 C
167 W
Enhancement
CoolMOS
Reel
Cut Tape
Marke: Infineon Technologies
Konfiguration: Single
Land der Bestückung: Not Available
Land der Verbreitung: Not Available
Ursprungsland: DE
Abfallzeit: 3.5 ns
Produkt-Typ: MOSFETs
Anstiegszeit: 5 ns
Serie: CoolMOS C7 Gold
Verpackung ab Werk: 2000
Unterkategorie: Transistors
Transistorart: 1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit: 61 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 19 ns
Artikel # Aliases: IPT60R080G7 SP001615904
Gewicht pro Stück: 771.020 mg
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Ausgewählte Attribute: 0

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CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

Erleben Sie den Unterschied in der Leistung

Infineon ist führend auf dem Leistungshalbleiter-Markt. Mit mehr als 20 Jahren Erfahrung und als Innovator der revolutionären CoolMOSTM™ -Superjunction-MOSFET-Technologie ist Infineon weiterhin eine Vorreiterrolle im Bereich des Energiemanagements. Kunden können basierend auf individuellen Design-/Systemanforderungen aus dem branchenweit breitesten Silizium-basierten SJ-MOSFET-Portfolio auswählen. Als einer der wenigen Hersteller, die alle drei Hauptenergietechnologien beherrschen, ergänzt Infineon dieses Sortiment durch ein bahnbrechendes Breitbandlücken-Angebot (WBG). Dieses Angebot umfasst Siliziumkarbid-basierte CoolSiC™-MOSFETs, Anpassungsdioden und Galliumnitrid-basierte CoolGaN ™ -E-Modus-HEMTs. Es gibt Lösungen, die von einem hervorragenden Preis-Leistungs-Verhältnis über eine unübertroffene Robustheit bis hin zu Geräten der Spitzenklasse reichen. Dies ermöglicht Kunden, effizientere, umweltfreundlichere und nachhaltigere Applikationen zu erstellen.

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CoolMOS™ C7 Gold (G7) Leistungs-MOSFETs

Die Infineon Technologies CoolMOS™ C7 Gold (G7) Leistungs-MOSFETs sind im neuen TO-Leadless-SMD-Gehäuse (TOLL) mit Kelvin-Source-Fähigkeit untergebracht. Die G7-MOSFETs kombinieren eine verbesserte 600V- und 650V-CoolMOS-G7-Technologie, 4-Pin-Kelvin-Source-Fähigkeit mit den verbesserten thermischen Eigenschaften des TO-Leadless-Gehäuses. Dies ermöglicht eine SMD-Lösung für Hochstrom-Hartschalttopologien wie Power Factor Correction (PFC) bis zu 3 kW. Für die 600 V CoolMOS G7 können die MOSFETs für Resonanzkreise wie High-End-LLC verwendet werden.

CoolMOS™ Superjunction-MOSFETs

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