Scheinbar haben Sie Javascript in Ihrem Browser deaktiviert. Einige Funktionen auf dieser Seite funktionieren nur, wenn Sie sich anmelden.

Wird ein Fehler angezeigt?

IPT60R180CM8XTMA1

Name: Infineon IPT60R180CM8XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IPT60R180CM8XTMA
Price: 2.04 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

726-IPT60R180CM8XTMA

Herst.- Nr.:

IPT60R180CM8XTMA1

Herst.:

Infineon Technologies

Beschreibung:

MOSFETs 600VCoolMOSCM8PowerTransistor

Lebenszyklus:

Neu bei Mouser

Datenblatt:

IPT60R180CM8XTMA1 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Mehr über

Weitere Informationen zu Infineon Technologies IPT60R180CM8XTMA1

Auf Lager: 2 700

Lagerbestand:: 2 700

sofort lieferbar

Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten. Bitte versuchen Sie es später noch einmal.
Auf Bestellung:: 1 990
Lieferzeit ab Hersteller:: 8

Wochen Geschätzte Produktionszeit des Werks für Mengen, die größer als angezeigt sind.

Menge eingeben:

Minimum: 1 Vielfache: 1

Stückpreis:

-.-- CHF

Erw. Preis:

-.-- CHF

Vorauss. Zolltarif:

Gehäuse:

Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2000)

Cut-Tape

MouseReel™ (+7.00 CHF)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	2.04 CHF	2.04 CHF
	1.30 CHF	13.00 CHF
	0.951 CHF	95.10 CHF
	0.789 CHF	394.50 CHF
	0.742 CHF	742.00 CHF
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2000)
	0.721 CHF	1 442.00 CHF

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von 7.00 CHF hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Infineon
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	HSOF-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	600 V
Id - Drain-Gleichstrom:	18 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	180 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4.7 V
Qg - Gate-Ladung:	17 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	119 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	CoolMOS
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Infineon Technologies
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	AT
Abfallzeit:	12.8 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	6 ns
Serie:	600V CM8
Verpackung ab Werk:	2000
Unterkategorie:	Transistors
Regelabschaltverzögerungszeit:	88.4 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	17.2 ns
Artikel # Aliases:	IPT60R180CM8 SP005578053

Produkte gefunden:

Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus

Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.

Ausgewählte Attribute: 0

Dokument filtern:

Datenblatt

IPT60R180CM8XTMA1 Datenblatt (PDF)

Für diese Funktionalität ist die Aktivierung von JavaScript erforderlich.

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

CoolMOS™ 8-SJ-MOSFETs

Infineon Technologies CoolMOS™ 8-SJ-MOSFETs sind Hochspannungs-Super-Junction-MOSFET-Technologielösungen. Der CoolMOS 8 von Infineon Technologies verfügt über eine integrierte schnelle Bodydiode und eignet sich hervorragend für verschiedene Applikationen. Der CoolMOS 8 erweitert das Breitbandlücken-Portfolio (WBG) des Infineon als Nachfolger der 600 V CoolMOS 7 MOSFET-Produktfamilie.

CoolMOS™ C7 Gold (G7) Leistungs-MOSFETs

Die Infineon Technologies CoolMOS™ C7 Gold (G7) Leistungs-MOSFETs sind im neuen TO-Leadless-SMD-Gehäuse (TOLL) mit Kelvin-Source-Fähigkeit untergebracht. Die G7-MOSFETs kombinieren eine verbesserte 600V- und 650V-CoolMOS-G7-Technologie, 4-Pin-Kelvin-Source-Fähigkeit mit den verbesserten thermischen Eigenschaften des TO-Leadless-Gehäuses. Dies ermöglicht eine SMD-Lösung für Hochstrom-Hartschalttopologien wie Power Factor Correction (PFC) bis zu 3 kW. Für die 600 V CoolMOS G7 können die MOSFETs für Resonanzkreise wie High-End-LLC verwendet werden.

CoolMOS™ Power Transistors

Infineon CoolMOS™ Power Transistors use the revolutionary CoolMOS™ technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the superjunction (SJ) principle and pioneered by Infineon. CoolMOS™ C6 and E6 power transistor series combine the experience of the leading SJ MOSFET supplier with high-class innovation. The resulting devices provide all the benefits of a fast switching SJ MOSFET while not sacrificing ease of use. Extremely low switching and conduction losses make switching applications even more efficient, more compact, lighter, and cooler.