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IPTG039N15NM5ATMA1

Name: Infineon IPTG039N15NM5ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-TG039N15NM5ATMA1
Price: 2.5 CHF
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

726-TG039N15NM5ATMA1

Herst.- Nr.:

IPTG039N15NM5ATMA1

Herst.:

Infineon Technologies

Datenblatt:

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Hersteller:	Infineon
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	HSOG-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	150 V
Id - Drain-Gleichstrom:	190 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	3.9 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	3 V
Qg - Gate-Ladung:	74 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	319 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	OptiMOS
Verpackung:	Reel
Marke:	Infineon Technologies
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	DE
Abfallzeit:	5.5 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	110 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	4.5 ns
Serie:	OptiMOS 5
Verpackung ab Werk:	1800
Unterkategorie:	Transistors
Regelabschaltverzögerungszeit:	23.5 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	19 ns
Artikel # Aliases:	IPTG039N15NM5 SP005676943