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IPW60R041P6

Name: Infineon IPW60R041P6
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IPW60R041P6
Price: 8.01 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

726-IPW60R041P6

Herst.- Nr.:

IPW60R041P6

Herst.:

Infineon Technologies

Datenblatt:

ECAD Model:

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Verpackung:

Tube

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Hersteller:	Infineon
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-247-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	600 V
Id - Drain-Gleichstrom:	77.5 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	37 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	3.5 V
Qg - Gate-Ladung:	170 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	481 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	CoolMOS
Verpackung:	Tube
Marke:	Infineon Technologies
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	DE
Abfallzeit:	5 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	27 ns
Serie:	CoolMOS P6
Verpackung ab Werk:	240
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	90 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	29 ns
Artikel # Aliases:	SP001091630 IPW60R041P6FKSA1
Gewicht pro Stück:	6 g