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IPW65R035CFD7AXKSA1

Name: Infineon IPW65R035CFD7AXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IPW65R035CFD7AXK
Price: 10.07 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

726-IPW65R035CFD7AXK

Herst.- Nr.:

IPW65R035CFD7AXKSA1

Herst.:

Infineon Technologies

Beschreibung:

MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS

Datenblatt:

IPW65R035CFD7AXKSA1 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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	CHF 7.88	CHF 78.80
	CHF 6.57	CHF 657.00
	CHF 5.85	CHF 2 808.00
	CHF 5.47	CHF 6 564.00

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Infineon
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-247-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	650 V
Id - Drain-Gleichstrom:	63 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	35 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4.5 V
Qg - Gate-Ladung:	145 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	305 W
Kanalmodus:	Enhancement
Qualifikation:	AEC-Q101
Handelsname:	CoolMOS
Verpackung:	Tube
Marke:	Infineon Technologies
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	CN
Produkt-Typ:	MOSFETs
Serie:	CoolMOS CFD7A
Verpackung ab Werk:	240
Unterkategorie:	Transistors
Artikel # Aliases:	IPW65R035CFD7A SP005324274

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Datenblatt

IPW65R035CFD7AXKSA1 Datenblatt (PDF)

Product Catalogs

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
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TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

650 V CoolMOS™ CFD7A SJ-Leistungs-MOSFETs

650-V-CoolMOS ™ -CFD7A-SJ-Leistungs-MOSFETs von Infineon Technologies sind für Elektrofahrzeug-Applikationen, wie z. B. On-Board-Ladegeräte, HV/LV-DC/DC-Wandler und Hilfsnetzteile ausgelegt. Dank der verbesserten Robustheit der kosmischen Strahlung ermöglichen die CoolMOS-CFD7A-SJ-Leistungs-MOSFETs höhere Batteriespannungen mit einer Zuverlässigkeitsrate, die der früheren Generationen und anderen Marktangeboten entspricht. CoolMOS-CFD7A-SJ-Leistungs-MOSFETs gewährleisten hohe Wirkungsgrade in hart- und resonant schaltenden Topologien, insbesondere bei leichten Lastbedingungen. Höhere Schaltfrequenzen bei Gate-Verlustpegeln, die mit denen früherer Generationen vergleichbar sind, werden erreicht. Die Reduzierung des Systemgewichts und der kleinere Platzbedarf führen zu kompakteren Designs.