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IPZA65R040CM8XKSA1

Name: Infineon IPZA65R040CM8XKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IPZA65R040CM8XKS
Price: 7.11 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

726-IPZA65R040CM8XKS

Herst.- Nr.:

IPZA65R040CM8XKSA1

Herst.:

Infineon Technologies

Beschreibung:

MOSFETs 650V CoolMOS CM8 Power Transistor

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

Neu von diesem Hersteller.

Datenblatt:

IPZA65R040CM8XKSA1 Datenblatt (PDF)

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Hersteller:	Infineon
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	PG-TO247-4
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	650 V
Id - Drain-Gleichstrom:	62 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	40 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V to 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4.7 V
Qg - Gate-Ladung:	80 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	329 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	CoolMOS
Verpackung:	Tube
Marke:	Infineon Technologies
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	DE
Abfallzeit:	5.8 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	6.6 ns
Verpackung ab Werk:	240
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	95.8 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	22.8 ns
Artikel # Aliases:	IPZA65R040CM8 SP006050909

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Datenblatt

IPZA65R040CM8XKSA1 Datenblatt (PDF)

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

CoolMOS™ CM8 650 V Leistungs-MOSFETs

Infineon Technologies CoolMOS™ CM8 650 V-Leistungs-MOSFETs sind gemäß dem Superjunction (SJ)-Prinzip ausgelegt, um geringe Schalt- und Leitungsverluste zu bieten. Diese MOSFETs eignen sich aufgrund der Kommutierungsrobustheit des Bauteils für hart- und weichschaltende Topologien. Die CoolMOS™ CM8 650 V-MOSFETs verfügen über ein schnelles Design-In durch eine niedrige Überschwingungstendenz und Verwendung über die PFC- und PWM-Stufen. Diese MOSFETs ermöglichen ein vereinfachtes Wärmemanagement durch eine fortschrittliche Befestigungstechnologie. Die CoolMOS™ CM8 650 V-MOSFETs sind RoHs-konform und gemäß JEDEC-Standards vollständig für Industrieapplikationen qualifiziert. Zu den typischen Applikationen gehören LLC-Resonanzwandler, KI-Server, Telekommunikations-Netzteile und Rechenzentren.

CoolMOS™ 8-SJ-MOSFETs

Infineon Technologies CoolMOS™ 8-SJ-MOSFETs sind Hochspannungs-Super-Junction-MOSFET-Technologielösungen. Der CoolMOS 8 von Infineon Technologies verfügt über eine integrierte schnelle Bodydiode und eignet sich hervorragend für verschiedene Applikationen. Der CoolMOS 8 erweitert das Breitbandlücken-Portfolio (WBG) des Infineon als Nachfolger der 600 V CoolMOS 7 MOSFET-Produktfamilie.