IR2214SSTRPBF
Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen
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942-IR2214SSTRPBF
IR2214SSTRPBF
Herst.:
Beschreibung:
Gate-Treiber 1200V half-bridge,3A DESAT &Soft SD,440n
Gate-Treiber 1200V half-bridge,3A DESAT &Soft SD,440n
Datenblatt:
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Preis (CHF)
| Menge | Stückpreis |
Erw. Preis
|
|---|---|---|
| Gurtabschnitt / MouseReel™ † | ||
| CHF 5.73 | CHF 5.73 | |
| CHF 4.41 | CHF 44.10 | |
| CHF 4.08 | CHF 102.00 | |
| CHF 3.71 | CHF 371.00 | |
| CHF 3.54 | CHF 885.00 | |
| CHF 3.44 | CHF 1 720.00 | |
| CHF 3.20 | CHF 3 200.00 | |
| Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2000) | ||
| CHF 3.13 | CHF 6 260.00 | |
| 4 000 | Kostenvoranschlag | |
† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden.
↩
Alternativverpackung
Datenblatt
Application Notes
- Buffer Interface with Negative Gate Bias for Desat Protected HVICs used in High Power Applications (PDF)
- Gate Drive Characteristics and Requirements for HEXFET® power MOSFETs (PDF)
- HV Floating MOS Gate Drivers (PDF)
- Understanding HVIC Datasheet Specifications (PDF)
- Use Gate Charge to Design the Gate Drive Circuit for Power MOSFETs and IGBTs (PDF)
Product Catalogs
Technical Resources
- Design Tip - Using Monolithic High Voltage Gate Drivers (PDF)
- High Current Buffer for Control IC's (PDF)
- Low Gate Charge HEXFETS simplify Gate Drive and Lower Cost (PDF)
- Managing Transients in Control IC Driven Power Stages (PDF)
- PWM Control Methods Increases Efficiency and Reliability; Extends Battery Charge-cycle Time (PDF)
- Short-Circuit Protection for Power Inverters (PDF)
- Using Control ICs to Generate Neg. Gate Bias for MOSFETs & IGBTs (PDF)
- CNHTS:
- 8542399000
- CAHTS:
- 8542390000
- USHTS:
- 8542310030
- KRHTS:
- 8542311000
- TARIC:
- 8542319000
- MXHTS:
- 8542310302
- ECCN:
- EAR99
