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IR2233SPbF

Name: Infineon IR2233SPbF
Brand: Infineon Technologies
SKU: 942-IR2233SPBF
Price: 6.72 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

942-IR2233SPBF

Herst.- Nr.:

IR2233SPbF

Herst.:

Infineon Technologies

Beschreibung:

Gate-Treiber 1200V 3-Phase,0.5A OCP, OPAMP, FAULT,SD

Datenblatt:

IR2233SPbF Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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	CHF 5.19	CHF 51.90
	CHF 4.81	CHF 120.25
	CHF 4.39	CHF 439.00
	CHF 4.19	CHF 1 047.50
	CHF 4.08	CHF 2 040.00
	CHF 3.62	CHF 3 620.00
	CHF 3.51	CHF 7 020.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Infineon
Produktkategorie:	Gate-Treiber
RoHS:
Produkt:	IGBT, MOSFET Gate Drivers
Typ:	Half-Bridge
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	SOIC-28
Anzahl der Treiber:	6 Driver
Anzahl der Ausgänge:	6 Output
Ausgangsstrom:	500 mA
Versorgungsspannung - Min.:	10 V
Versorgungsspannung - Max.:	20 V
Anstiegszeit:	90 ns
Abfallzeit:	40 ns
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 125 C
Serie:	IR223X
Verpackung:	Tube
Marke:	Infineon Technologies
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	TW
Kenndaten und Eigenschaften:	Independent
Logiktyp:	CMOS, LSTTL
Maximale Abschaltverzögerungszeit:	700 ns
Maximale Anschaltverzögerungszeit:	750 ns
Feuchtigkeitsempfindlich:	Yes
Betriebsversorgungsstrom:	4 mA
Pd - Verlustleistung:	1.6 W
Produkt-Typ:	Gate Drivers
Verzögerungszeit - Max.:	1 us
Abschaltung:	Shutdown
Verpackung ab Werk:	2000
Unterkategorie:	PMIC - Power Management ICs
Technologie:	Si
Handelsname:	EiceDRIVER
Gewicht pro Stück:	2.215 g

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CNHTS:: 8542399000
CAHTS:: 8542310000
USHTS:: 8542310075
KRHTS:: 8542311000
TARIC:: 8542319000
MXHTS:: 8542310302
ECCN:: EAR99

EiceDRIVER™ Gate-Treiber-ICs

Infineon EiceDRIVER™ Gate-Treiber-ICs sind für MOSFETs, IGBTs, SiC-MOSFETs und GaN-HEMTs-Bauteile ausgelegt. EiceDRIVER™ Gate-Treiber bieten eine große Auswahl von typischen Ausgangsstromoptionen von 0,1 μA bis 10 μA. Diese Bauteile verfügen über robuste Gate-Treiber-Schutzfunktionen, wie z. B. schnelle Kurzschluss-Sicherung (DESAT), aktive Miller-Klemme, Durchzündungsschutz, Fehler-, Abschalt- und Überstromschutz. Diese Funktionen machen diese Treiber-ICs ideal für Silizium- und Breitbandlücken-Leistungsbauteile, einschließlich CoolGaN™ und CoolSiC™. Aus diesem Grund bietet der Infineon mehr als 500 EiceDRIVER™ Gate-Treiber-IC-Lösungen, die sich für jeden Leistungsschalter und jede Applikation eignen.

IR2133/IR2135/IR2233/IR2235 Gate-Treiber-ICs

Infineon Technologies IR2133/IR2135/IR2233/IR2235 Gate-Treiber-ICs verfügen über drei unabhängige High- und Low-Side-referenzierte Ausgangskanäle für Dreiphasen-Applikationen. Die Gate-Treiber-ICs verfügen über eine proprietäre HVIC-Technologie, die eine robuste monolithische Bauweise ermöglicht. Die IR2133/IR2135/IR2233/IR2235 ICs verfügen über Logikschaltungseingänge, die mit den CMOS- oder LSTTL-Ausgängen der Logikschaltung bis hinunter zu 2,5 V kompatibel sind. Darüber hinaus bieten die Bauteile einen unabhängigen Operationsverstärker. Dieser Verstärker ermöglicht eine analoge Rückkopplung des Brückenstroms über einen externen Strommesswiderstand.

1.200-V-Pegelverschiebungs-Gate-Treiber

Infineon 1.200 V Pegelverschiebungs-Gate-Treiber für Industrieantriebe umfassen Dreiphasen-, Halbbrücken- und High- und Low-Side-Treiber, die sich für IGBTs oder MOSFETs eignen. Der 6ED2230S12T Dreiphasen-1.200 V-SOI-Treiber mit integrierter Bootstrap-Diode (BSD) und Überstromschutz nutzt die einzigartige Silicon-on-Insulator (SOI) -Pegelverschiebungstechnologie des Infineon. Der 6ED2230S12T bietet eine funktionale Isolierung mit branchenführender negativer VS-Robustheit. Darüber hinaus bietet das Bauteil reduzierte Pegelverschiebungsverluste mit der integrierten Bootstrap-Diode, die eine geringere Stücklistenkosten und einen kleineren PCB-Footprint ermöglicht.

IR2233/IR2235 MOSFET- und IGBT-Antriebe

Die IR2233/IR2235 MOSFET- und IGBT-Treiber von Infineon Technologies weisen drei unabhängige High- und Low-Side-referenzierte Ausgangskanäle für Dreiphasen-Applikationen auf. Die proprietäre HVIC-Technologie ermöglicht eine robuste monolithische Bauweise. Logikeingänge sind mit CMOS- oder LSTTL-Ausgängen bis zu einer 2,5 V-Logik kompatibel. Ein unabhängiger Operationsverstärker bietet eine analoge Rückkopplung des Brückenstroms über einen externen Strommesswiderstand.