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S25FL256SDPBHVC10

Name: Infineon S25FL256SDPBHVC10
Brand: Infineon Technologies
SKU: 727-S25FL256SDPBHC10
Price: 4.58 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

727-S25FL256SDPBHC10

Herst.- Nr.:

S25FL256SDPBHVC10

Herst.:

Infineon Technologies

Beschreibung:

NOR-Flash Nor

Datenblatt:

S25FL256SDPBHVC10 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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	CHF 4.14	CHF 103.50
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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Infineon
Produktkategorie:	NOR-Flash
RoHS:
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	BGA-24
Serie:	S25FL256S
Speichergröße:	256 Mbit
Versorgungsspannung - Min.:	2.7 V
Versorgungsspannung - Max.:	3.6 V
Max. aktiver Lesestrom:	100 mA
Schnittstellen-Typ:	SPI
Maximale Taktfrequenz:	66 MHz
Organisation:	32 M x 8
Datenbus-Weite:	8 bit
Timing-Typ:	Synchronous
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 105 C
Verpackung:	Tray
Marke:	Infineon Technologies
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	US
Feuchtigkeitsempfindlich:	Yes
Produkt-Typ:	NOR Flash
Geschwindigkeit:	66 MHz
Verpackung ab Werk:	676
Unterkategorie:	Memory & Data Storage
Handelsname:	MirrorBit
Gewicht pro Stück:	8.311 g

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Datenblatt

S25FL256SDPBHVC10 Datenblatt (PDF)

Statement Regarding the RoHS Compliance of Cypress Products

CNHTS:: 8542329090
CAHTS:: 8542320040
USHTS:: 8542320051
TARIC:: 8542326100
MXHTS:: 8542320299
ECCN:: 3A991.b.1.a

S25FL MIRRORBIT™ Flash Non-Volatile Memory

Infineon Technologies S25FL128S/S25FL256S MIRRORBIT™ Flash Non-Volatile Memory devices employ MIRRORBIT technology that stores two data bits in each memory array transistor. These Infineon devices feature 65nm process lithography as well as Eclipse architecture that dramatically improves program and erase performance. Infineon S25FL128S and S25FL256S Flash Non-Volatile Memory devices offer high densities coupled with the flexibility and fast performance required by a variety of embedded applications. They are ideal for code shadowing, XIP, and data storage.

S25FLxS FL-S NOR Flash Memory Devices

Infineon Technologies S25FLxS FL-S NOR Flash Memory Devices are 2.7V to 3.6V or 1.65V to 3.6V V_IO Volt Non-volatile Memory. The S25FLxS FL-S NOR Flash Memory Devices use 65nm MIRRORBIT™ technology. Featuring the Eclipse™ architecture with a Page Programming Buffer, 256Mb S25FLxS FL-S NOR allows users to program up to 256-words. This results in more effective programming and erasing than prior generation SPI programs or erased algorithms. The devices connect to a host system via an SPI and support traditional SPI single bit serial input and output.

FL Serieller NOR Flash-Speicher

Der FL serielle NOR Flash-Speicher von Cypress bietet eine reduzierte Kontaktanzahl für niedrigere Systemkosten bei gleichzeitiger optimaler Lese-/Schreibleistung. Dadurch eignet sich der FL serielle NOR Flash-Speicher hervorragend für Anwendungen in der Automobilindustrie, Netzwerke, Unterhaltungselektronik und industrielle Anwendungen. Für Kunden aus der Automobilindustrie ist eine AEC-Q100-Qualifizierung und PPAP-Unterstützung verfügbar. Die FL-Familie setzt sich aus vier Produktgruppen zusammen: FL-S, FL-L, FL1-K und FL-P.
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