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S29GL01GS10FHSS13

Name: Infineon S29GL01GS10FHSS13
Brand: Infineon Technologies
SKU: 727-29GL01GS10FHSS13
Price: 11.8 CHF
Availability: OutOfStock

Mouser-Nr.:

727-29GL01GS10FHSS13

Herst.- Nr.:

S29GL01GS10FHSS13

Herst.:

Infineon Technologies

Beschreibung:

NOR-Flash PNOR

Datenblatt:

S29GL01GS10FHSS13 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Hersteller:	Infineon
Produktkategorie:	NOR-Flash
RoHS:
Serie:	S29GL01G/512/256/128S
Speichergröße:	1 Gbit
Versorgungsspannung - Min.:	2.7 V
Versorgungsspannung - Max.:	3.6 V
Max. aktiver Lesestrom:	60 mA
Organisation:	64 M x 16
Datenbus-Weite:	16 bit
Timing-Typ:	Asynchronous
Verpackung:	Reel
Marke:	Infineon Technologies
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	Not Available
Feuchtigkeitsempfindlich:	Yes
Produkt-Typ:	NOR Flash
Verpackung ab Werk:	1600
Unterkategorie:	Memory & Data Storage
Handelsname:	MirrorBit

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Datenblatt

S29GL01GS10FHSS13 Datenblatt (PDF)

Statement Regarding the RoHS Compliance of Cypress Products

CNHTS:: 8542319090
CAHTS:: 8542320040
USHTS:: 8542320051
JPHTS:: 854232039
KRHTS:: 8542321090
TARIC:: 8542326100
MXHTS:: 8542320201
ECCN:: 3A991.b.1.a

S29 GL-S MIRRORBIT™ Eclipse™ Flash

Infineon Technologies S29 GL-S MIRRORBIT™ Eclipse™ Flash products are fabricated on 65nm process technology. These devices offer a fast page access time - as fast as 15ns with a corresponding random access time as fast as 90ns. MIRRORBIT Eclipse™ Flash non-volatile memory is a CMOS 3V core with versatile I/O interface. Infineon S29 GL-S MIRRORBIT Eclipse™ Flash features a Write Buffer that allows a maximum of 256 words/512 bytes to be programmed in one operation. This results in faster effective programming time than standard programming algorithms. Programming time makes the S29 GL-S flash ideal for today's embedded applications that require higher density, better performance, and lower power consumption.