S29GL01GT10TFI010

Infineon Technologies
727-29GL01GT10TFI010
S29GL01GT10TFI010

Herst.:

Beschreibung:
NOR-Flash PNOR

ECAD Model:
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CHF 12.75 CHF 127.50
CHF 12.47 CHF 311.75
CHF 12.07 CHF 603.50
CHF 11.95 CHF 1 195.00
CHF 11.78 CHF 2 945.00
CHF 11.47 CHF 5 735.00
CHF 11.36 CHF 10 337.60
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Alternativverpackung

Herst. Teilenr.:
Verpackung:
Reel, Cut Tape, MouseReel
Verfügbarkeit:
Auf Lager
Preis:
CHF 14.27
Min:
1

Produktattribut Attributwert Attribut auswählen
Infineon
Produktkategorie: NOR-Flash
RoHS:  
SMD/SMT
TSOP-56
S29GL01GT
1 Gbit
2.7 V
3.6 V
60 mA
Parallel
128 M x 8/64 M x 16
8 bit/16 bit
Asynchronous
- 40 C
+ 85 C
Tray
Marke: Infineon Technologies
Land der Bestückung: Not Available
Land der Verbreitung: Not Available
Ursprungsland: CN
Feuchtigkeitsempfindlich: Yes
Produkt-Typ: NOR Flash
Geschwindigkeit: 100 ns
Verpackung ab Werk: 910
Unterkategorie: Memory & Data Storage
Handelsname: MirrorBit Eclipse
Gewicht pro Stück: 8.233 g
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Ausgewählte Attribute: 0

CNHTS:
8542329090
CAHTS:
8542320040
USHTS:
8542320051
JPHTS:
854232039
KRHTS:
8542321090
TARIC:
8542326900
MXHTS:
8542320201
ECCN:
3A991.b.1.a

S29GL01G/512/256/128S MIRRORBIT™ Flash Memory

Infineon Technologies S29GL01G/512/256/128S MIRRORBIT™ Eclipse Flash Memory is optimized for voltage, density, cost-per-bit, reliability, performance, and scalability needs. With densities from 32MB-2GB, each MIRRORBIT Memory Device requires only a single 3.0V power supply for read and write functions. The entire command set is compatible with the JEDEC Flash standards. The MIRRORBIT GL Flash Memory Device family supports Universal Footprint, which provides one footprint across all densities. The flash memory also supports product families and process technologies. This allows manufacturers to design single platform and simple scale Flash memory capacity up or down, depending on features and functionality.

MirrorBit Eclipse Flash-Speicher

Der Cypress / S29GL512GT MirrorBit® Eclipse™ Flash-Speicher bietet mit bis 15ns einen schnellen Seitenzugriff. Er verfügt über eine entsprechende Direktzugriffszeit von 100ns. Er enthält einen Schreib-Puffer, der die Programmierung von maximal 256 Wörtern/512 Bytes in einem Vorgang ermöglicht. Dies führt zu einer schnelleren, effektiveren Programmierungszeit als mit standardmäßigen Programmieralgorithmen. Dadurch sind diese Geräte ideal für moderne integrierte Anwendungen, die eine höhere Dichte, eine höhere Leistung und geringeren Energieverbrauch erfordern.
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