S80KS2563GABHV020

Infineon Technologies
727-S2563GABHV020
S80KS2563GABHV020

Herst.:

Beschreibung:
DRAM SPCM

ECAD Model:
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CHF 6.53 CHF 65.30
CHF 6.33 CHF 158.25
CHF 6.17 CHF 308.50
CHF 6.03 CHF 603.00
CHF 5.81 CHF 1 452.50
CHF 5.65 CHF 1 909.70
CHF 5.59 CHF 5 668.26
2 704 Kostenvoranschlag

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Infineon
Produktkategorie: DRAM
RoHS:  
HyperRAM
256 Mbit
8 bit
200 MHz
FBGA-24
32 M x 8
35 ns
1.7 V
2 V
- 40 C
+ 105 C
Tray
Marke: Infineon Technologies
Land der Bestückung: Not Available
Land der Verbreitung: Not Available
Ursprungsland: TH
Feuchtigkeitsempfindlich: Yes
Montageart: SMD/SMT
Produkt-Typ: DRAM
Verpackung ab Werk: 338
Unterkategorie: Memory & Data Storage
Versorgungsstrom - Max.: 25 mA
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Ausgewählte Attribute: 0

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USHTS:
8542320028
ECCN:
3A991.b.2

S80KS2562 & S80KS2563 256 Mb HYPERRAM™ 2.0 Speicher.

Infineon Technologies S80KS2562 und S80KS2563 HYPERRAM ™ 2.0 Speicher sind schnelle, Niedrig-Pinanzahl, stromsparende   selbst-aktualisierende dynamische RAM (DRAM) mit einer HyperBUS (S80KS2562) oder Octal xSPI (S80KS2563)-Schnittstelle. Beide Bauteile verfügen über einen 200 MHz maximalen Taktgeber, einen   Datendurchsatz von bis zu 400MBps und energiesparende Hybrid-Sleep- und einem   Deep Power-Down- Modi. Die S80KS2562 und S80KS2563 HyperRAM sind ideale eingebettete Hochleistungssysteme, die einen erweiterten Speicher für den Zwischenspeicher oder die Pufferung erfordern.