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3N163-SOT-143-4L-TR

Name: Linear Integrated Systems 3N163-SOT-143-4L-TR
Brand: Linear Integrated Systems
SKU: 722-3N163-SOT1434LTR
Price: 2.19 CHF
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

722-3N163-SOT1434LTR

Herst.- Nr.:

3N163-SOT-143-4L-TR

Herst.:

Linear Integrated Systems

Beschreibung:

MOSFETs SINGLE, P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

Datenblatt:

3N163-SOT-143-4L-TR Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Hersteller:	Linear Integrated Systems
Produktkategorie:	MOSFETs
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	SOT-143-4
Transistorpolung:	P-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	40 V
Id - Drain-Gleichstrom:	30 mA
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	250 Ohms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 6.5 V, 6.5 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	5 V
Pd - Verlustleistung:	350 mW, 375 mW
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Marke:	Linear Integrated Systems
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	Not Available
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	2 mS
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	24 ns
Serie:	3N163
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 P-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	50 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	12 ns

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ECCN:: EAR99

3N163 P-Channel Enhancement Mode MOSFETs

Linear Integrated Systems 3N163 P-Channel Enhancement Mode MOSFETs feature high input impedance, high gate breakdown, ultra-low leakage, and low capacitance. These MOSFETs offer -40V drain-source or drain-gate voltage, 50mA drain current, and 375mW (TO-72 case), and 350mW (SOT-143 case) power dissipation. The 3N163 P-Channel MOSFETs are available in the TO-72 RoHS, SOT-143 RoHS package, and as bare die. These MOSFETs are ideal for amplifier and switching applications.