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LSIC2SD065A10A

Name: Littelfuse LSIC2SD065A10A
Brand: Littelfuse
SKU: 576-LSIC2SD065A10A
Price: 2.96 CHF
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

576-LSIC2SD065A10A

Herst.- Nr.:

LSIC2SD065A10A

Herst.:

Littelfuse

Beschreibung:

SiC Schottky Dioden 650V 10A TO-220-2L SiC Schottky Diode

Datenblatt:

LSIC2SD065A10A Datenblatt

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Hersteller:	Littelfuse
Produktkategorie:	SiC Schottky Dioden
RoHS:
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-220-2
Konfiguration:	Single
If - Durchlassstrom:	27 A
Vrrm - Periodische Sperrspannung:	650 V
Vf - Durchlassspannung:	1.5 V
Ifsm - Durchlass-Stoßstrom:	48 A
Ir - Sperrstrom:	1 uA
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Serie:	LSIC2SD
Qualifikation:	AEC-Q101
Verpackung:	Tube
Marke:	Littelfuse
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	KR
Pd - Verlustleistung:	100 W
Produkt-Typ:	SiC Schottky Diodes
Verpackung ab Werk:	1000
Unterkategorie:	Diodes & Rectifiers
Vr - Sperrspannung:	650 V
Gewicht pro Stück:	1.500 g

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Datenblatt

LSIC2SD065A10A Datenblatt

EOL

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CNHTS:: 8541100000
CAHTS:: 8541100090
USHTS:: 8541100080
JPHTS:: 854110090
KRHTS:: 8541109000
TARIC:: 8541100000
MXHTS:: 8541100199
BRHTS:: 85411099
ECCN:: EAR99

LSIC2SD065 SiC Schottky Diodes in TO220 & TO252

Littelfuse LSIC2SD065 SiC Schottky Diodes feature TO-220 or TO-252-2L packages and 6A to 20A current ratings. These diodes offer a 175°C maximum operating junction temperature and are AEC-Q101 qualified. The LSIC2SD065 series has fast, temperature-independent switching behavior and reduced switching losses compared to Si bipolar diodes. Littelfuse LSIC2SD065 SiC Schottky Diodes are ideal for uninterruptible power supplies, solar inverters, and industrial motor drives.

GEN2 SiC-Schottky-Dioden

Littelfuse GEN2 Siliziumkarbid(SiC)-Schottky-Dioden bieten einen verbesserten Wirkungsgrad, eine höhere Zuverlässigkeit und ein besseres Wärmemanagement in verschiedenen Applikationen. Die Dioden haben eine Sperrschicht-Betriebstemperatur von max. 175 °C. Der positive Temperaturkoeffizient der Dioden sorgt für einen sicheren Betrieb und eine einfache Parallelschaltung. Zu den weiteren Merkmalen der GEN2 SiC-Schottky-Dioden gehören ein hohes Ableitvermögen und ein geringfügiger Sperrverzögerungsstrom. Das Schaltverhalten der Dioden ist extrem schnell und temperaturunabhängig. Im Vergleich zu Si-Bipolardioden bieten diese Dioden drastisch reduzierte Schaltverluste. Die GEN2 SiC-Schottky-Dioden eignen sich ideal für EV-Ladestationen, Solar-Wechselrichter, Schaltnetzteile und vieles mehr. Diese Dioden sind in einem TO-220-2L-, TO-252-2L(DPAK)- oder TO-263-2L(D2PAK)-Gehäuse verfügbar.