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LSIC2SD170B10

Name: Littelfuse LSIC2SD170B10
Brand: Littelfuse
SKU: 576-LSIC2SD170B10
Price: 8.42 CHF
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

576-LSIC2SD170B10

Herst.- Nr.:

LSIC2SD170B10

Herst.:

Littelfuse

Beschreibung:

SiC Schottky Dioden RECT 1.7V 10A SM SCHOTTKY

Datenblatt:

LSIC2SD170B10 Datenblatt

ECAD Model:

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Hersteller:	Littelfuse
Produktkategorie:	SiC Schottky Dioden
RoHS:
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-247-2
Konfiguration:	Single
If - Durchlassstrom:	31 A
Vrrm - Periodische Sperrspannung:	1.7 kV
Vf - Durchlassspannung:	1.5 V
Ifsm - Durchlass-Stoßstrom:	72 A
Ir - Sperrstrom:	1 uA
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Serie:	LSIC2SD170Bx
Verpackung:	Tube
Marke:	Littelfuse
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	CN
Pd - Verlustleistung:	176 W
Produkt-Typ:	SiC Schottky Diodes
Verpackung ab Werk:	450
Unterkategorie:	Diodes & Rectifiers
Vr - Sperrspannung:	1.7 kV

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Datenblatt

LSIC2SD170B10 Datenblatt

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USHTS:: 8541100080
ECCN:: EAR99

LSIC2SD170Bx SiC-Schottky-Barriere-Dioden

Die LSIC2SD170Bx SiC-Schottky-Barriere-Dioden von Littelfuse bieten eine periodische Spitzensperrspannung von 1.700 V und einen Dauerdurchlassstrom von 10 A bis 50 A, wenn sie bei +150 °C getestet werden. Diese Dioden verfügen über ein schnelles, temperaturunabhängiges Schaltverhalten, ein ausgezeichnetes Ableitvermögen und im Vergleich zu bipolaren Si-Dioden wesentlich niedrigere Schaltverluste. Die LSIC2SD170Bx SiC-Schottky-Barriere-Dioden von Littelfuse sind in einem TO247-2L-Gehäuse untergebracht und eignen sich hervorragend für Solarwechselrichter, Unterbrechungsfreie Stromversorgungen, Akkuladegeräte und Schaltnetzteile.

GEN2 SiC-Schottky-Dioden

Littelfuse GEN2 Siliziumkarbid(SiC)-Schottky-Dioden bieten einen verbesserten Wirkungsgrad, eine höhere Zuverlässigkeit und ein besseres Wärmemanagement in verschiedenen Applikationen. Die Dioden haben eine Sperrschicht-Betriebstemperatur von max. 175 °C. Der positive Temperaturkoeffizient der Dioden sorgt für einen sicheren Betrieb und eine einfache Parallelschaltung. Zu den weiteren Merkmalen der GEN2 SiC-Schottky-Dioden gehören ein hohes Ableitvermögen und ein geringfügiger Sperrverzögerungsstrom. Das Schaltverhalten der Dioden ist extrem schnell und temperaturunabhängig. Im Vergleich zu Si-Bipolardioden bieten diese Dioden drastisch reduzierte Schaltverluste. Die GEN2 SiC-Schottky-Dioden eignen sich ideal für EV-Ladestationen, Solar-Wechselrichter, Schaltnetzteile und vieles mehr. Diese Dioden sind in einem TO-220-2L-, TO-252-2L(DPAK)- oder TO-263-2L(D2PAK)-Gehäuse verfügbar.