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CGH60008D-GP4

Name: MACOM CGH60008D-GP4
Brand: MACOM
SKU: 941-CGH60008D
Price: 27.55 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

941-CGH60008D

Herst.- Nr.:

CGH60008D-GP4

Herst.:

MACOM

Beschreibung:

GaN FETs GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 8 Watt

Datenblatt:

CGH60008D-GP4 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Hersteller:	MACOM
Produktkategorie:	GaN FETs
RoHS:
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	Die
Transistorpolung:	N-Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	120 V
Id - Drain-Gleichstrom:	750 mA
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	1.6 Ohms
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	- 3 V
Marke:	MACOM
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	US
Verstärkung:	15 dB
Maximale Betriebsfrequenz:	6 GHz
Mindestbetriebsfrequenz:	4 GHz
Ausgangsleistung:	8 W
Verpackung:	Waffle
Produkt:	GaN HEMTs
Produkt-Typ:	GaN FETs
Verpackung ab Werk:	10
Unterkategorie:	Transistors
Technologie:	GaN
Transistorart:	GaN HEMT
Vgs - Gate-Source-Durchschlagspannung:	- 10 V to 2 V
Gewicht pro Stück:	2.871 g

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Ausgewählte Attribute: 0

                        
Cree RF Products

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5-0614-38

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Datenblatt

CGH60008D-GP4 Datenblatt (PDF)

PCN

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290055
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

GaN-HEMTs

Die Cree GaN- (Galliumnitrid) HEMTs (Transistoren mit hoher Elektronenbeweglichkeit) bieten eine höhere Leistungsdichte und höhere Bandbreiten im Vergleich zu Si- und GaAs-Transistoren. GaN hat überlegene Eigenschaften im Vergleich zu Silizium oder Galliumarsenid, einschließlich höherer Durchlassspannung, höherer gesättigter Elektronendriftgeschwindigkeit und höherer Wärmeleitfähigkeit.
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