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CGH60060D-GP4

Name: MACOM CGH60060D-GP4
Brand: MACOM
SKU: 941-CGH60060D
Price: 146.42 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

941-CGH60060D

Herst.- Nr.:

CGH60060D-GP4

Herst.:

MACOM

Beschreibung:

GaN FETs GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 60 Watt

Datenblatt:

CGH60060D-GP4 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Hersteller:	MACOM
Produktkategorie:	GaN FETs
Lieferbenachrichtigungen:	Für den Export dieses Produkts aus den USA ist möglicherweise zusätzliche Dokumentation erforderlich.
RoHS:
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	Die
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	4 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	120 V
Id - Drain-Gleichstrom:	6 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	250 mOhms
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	- 3 V
Marke:	MACOM
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	US
Verstärkung:	13 dB
Maximale Betriebsfrequenz:	6 GHz
Mindestbetriebsfrequenz:	4 GHz
Ausgangsleistung:	60 W
Verpackung:	Waffle
Produkt:	GaN HEMTs
Produkt-Typ:	GaN FETs
Verpackung ab Werk:	10
Unterkategorie:	Transistors
Technologie:	GaN
Transistorart:	GaN HEMT
Vgs - Gate-Source-Durchschlagspannung:	- 10 V to 2 V
Gewicht pro Stück:	5.302 g

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Ausgewählte Attribute: 0

                        
Cree RF Products

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5-0614-38

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Datenblatt

CGH60060D-GP4 Datenblatt (PDF)

PCN

CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290040
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: 3A001.b.3.a.4

GaN-HEMTs

Die Cree GaN- (Galliumnitrid) HEMTs (Transistoren mit hoher Elektronenbeweglichkeit) bieten eine höhere Leistungsdichte und höhere Bandbreiten im Vergleich zu Si- und GaAs-Transistoren. GaN hat überlegene Eigenschaften im Vergleich zu Silizium oder Galliumarsenid, einschließlich höherer Durchlassspannung, höherer gesättigter Elektronendriftgeschwindigkeit und höherer Wärmeleitfähigkeit.
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