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CGHV35150F

Name: MACOM CGHV35150F
Brand: MACOM
SKU: 941-CGHV35150F
Price: 470.89 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

941-CGHV35150F

Herst.- Nr.:

CGHV35150F

Herst.:

MACOM

Beschreibung:

GaN FETs GaN HEMT 2.9-3.5GHz, 150 Watt

Datenblatt:

CGHV35150F Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Hersteller:	MACOM
Produktkategorie:	GaN FETs
Lieferbenachrichtigungen:	Für den Export dieses Produkts aus den USA ist möglicherweise zusätzliche Dokumentation erforderlich.
RoHS:
Montageart:	Screw Mount
Verpackung/Gehäuse:	440193
Transistorpolung:	N-Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	150 V
Id - Drain-Gleichstrom:	12 A
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	- 3 V
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Marke:	MACOM
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	US
Entwicklungs-Kit:	CGHV35150-TB
Verstärkung:	13.3 dB
Maximale Betriebsfrequenz:	3.5 GHz
Mindestbetriebsfrequenz:	3.1 GHz
Ausgangsleistung:	170 W
Verpackung:	Tray
Produkt:	GaN HEMTs
Produkt-Typ:	GaN FETs
Verpackung ab Werk:	20
Unterkategorie:	Transistors
Technologie:	GaN
Transistorart:	GaN HEMT
Vgs - Gate-Source-Durchschlagspannung:	- 10 V to 2 V

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Datenblatt

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PCN

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CNHTS:: 8542319090
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290055
JPHTS:: 854239099
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8542399000
MXHTS:: 8542399901
ECCN:: 3A001.b.3.a.3

GaN-HEMTs

Die Cree GaN- (Galliumnitrid) HEMTs (Transistoren mit hoher Elektronenbeweglichkeit) bieten eine höhere Leistungsdichte und höhere Bandbreiten im Vergleich zu Si- und GaAs-Transistoren. GaN hat überlegene Eigenschaften im Vergleich zu Silizium oder Galliumarsenid, einschließlich höherer Durchlassspannung, höherer gesättigter Elektronendriftgeschwindigkeit und höherer Wärmeleitfähigkeit.
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