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CGHV60075D5-GP4

Name: MACOM CGHV60075D5-GP4
Brand: MACOM
SKU: 941-CGHV60075D
Price: 178.84 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

941-CGHV60075D

Herst.- Nr.:

CGHV60075D5-GP4

Herst.:

MACOM

Beschreibung:

GaN FETs GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 75 Watt

Datenblatt:

CGHV60075D5-GP4 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Hersteller:	MACOM
Produktkategorie:	GaN FETs
Lieferbenachrichtigungen:	Für den Export dieses Produkts aus den USA ist möglicherweise zusätzliche Dokumentation erforderlich.
RoHS:
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	Die
Transistorpolung:	N-Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	150 V
Id - Drain-Gleichstrom:	10 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	280 mOhms
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	- 10 V, 2 V
Pd - Verlustleistung:	41.6 W
Marke:	MACOM
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	US
Verstärkung:	17 dB
Maximale Betriebsfrequenz:	6 GHz
Mindestbetriebsfrequenz:	0 Hz
Ausgangsleistung:	75 W
Verpackung:	Gel Pack
Produkt:	GaN HEMTs
Produkt-Typ:	GaN FETs
Verpackung ab Werk:	10
Unterkategorie:	Transistors
Technologie:	GaN
Transistorart:	GaN HEMT
Vgs - Gate-Source-Durchschlagspannung:	150 V

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Ausgewählte Attribute: 0

                        
Cree RF Products

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5-0614-38

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Datenblatt

CGHV60075D5-GP4 Datenblatt (PDF)

PCN

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CNHTS:: 8542319090
CAHTS:: 8542330000
USHTS:: 8541290040
KRHTS:: 8532331000
TARIC:: 8542399000
MXHTS:: 8542399901
ECCN:: 3A001.b.3.a.4

CGHV600 6GHz GaN HEMT

Die Cree CGHV600 6GHz Galliumnitrid- (GaN) High-Electron-Mobility-Transistoren (HEMT) liefern im Vergleich zu Silizium- (Si) oder Galliumarsenid- (GaAs) Transistoren eine überlegene Leistung. Die CGHV600 GaN HEMT bieten höhere Durchlassspannung, höhere gesättigte Elektronendriftgeschwindigkeit und höhere Wärmeleitfähigkeit. Diese Transistoren bieten eine höhere Leistungsdichte und höhere Bandbreiten. Die Bauteile der CGHV600-Serie eignen sich ideal für den Einsatz in einer Vielzahl von Anwendungen, einschließlich Mobilfunk-Infrastruktur und Verstärker der Klasse A, AB sowie Linearverstärker.
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