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GTVA262711FA-V2-R0

Name: MACOM GTVA262711FA-V2-R0
Brand: MACOM
SKU: 941-GTVA262711FAV2R0
Price: 111.94 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

941-GTVA262711FAV2R0

Herst.- Nr.:

GTVA262711FA-V2-R0

Herst.:

MACOM

Beschreibung:

GaN FETs 300W GaN HEMT 48V 2496 to 2690MHz

Datenblatt:

GTVA262711FA-V2-R0 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

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Preis (CHF)

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	CHF 111.94	CHF 111.94
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Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 50)
	CHF 90.13	CHF 4 506.50
	CHF 88.39	CHF 8 839.00
500	Kostenvoranschlag

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	MACOM
Produktkategorie:	GaN FETs
RoHS:
Montageart:	Screw Mount
Verpackung/Gehäuse:	H-87265J-2
Transistorpolung:	N-Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	125 V
Id - Drain-Gleichstrom:	12 A
Maximale Betriebstemperatur:	+ 225 C
Marke:	MACOM
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	US
Verstärkung:	18 dB
Maximale Betriebsfrequenz:	2.69 GHz
Mindestbetriebsfrequenz:	2.62 GHz
Ausgangsleistung:	300 W
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Produkt-Typ:	GaN FETs
Verpackung ab Werk:	50
Unterkategorie:	Transistors
Technologie:	GaN
Transistorart:	GaN HEMT
Vgs - Gate-Source-Durchschlagspannung:	- 10 V to 2 V

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PCN

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290055
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

5G HF-JFETs und LDMOS-FETs

Die 5G HF-Sperrschicht-Feldeffekt-Transistoren (JFETs) und seitlich diffuse Metalloxid-Halbleiter- (LDMOS) -FETs von MACOM sind thermisch verbesserte Hochleistungstransistoren für die nächste Generation der drahtlosen Übertragung. Diese Bauteile verfügen über eine GaN-on-SiC-HEMT-Technologie (High Electron Mobility Transistor, HEMT), eine Eingangsanpassung, einen hohen Wirkungsgrad und ein thermisch verbessertes oberflächenmontiertes Gehäuse mit einem ohrlosen Flansch. Die 5-G-HF-JFETs und LDMOS-FETs von MACOM sind ideal für Multi-Standard-Mobilfunk-Leistungsverstärkerapplikationen.